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NAND01GW3B2AN6E

Package:48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽);包装:管件 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

NAND01GW3B2AN6

1Gbit,2Gbit,2112Byte/1056WordPage,1.8V/3V,NANDFlashMemory

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

产品属性

  • 产品编号:

    NAND01GW3B2AN6E

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 包装:

    管件

  • 存储器类型:

    非易失

  • 存储器格式:

    闪存

  • 技术:

    闪存 - NAND

  • 存储容量:

    1Gb(128M x 8)

  • 存储器接口:

    并联

  • 写周期时间 - 字,页:

    30ns

  • 电压 - 供电:

    2.7V ~ 3.6V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽)

  • 供应商器件封装:

    48-TSOP

  • 描述:

    IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多NAND01GW3B2AN6E供应商 更新时间2025-7-23 9:02:00