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NAND01GW3B2AN6集成电路(IC)存储器规格书PDF中文资料
厂商型号 |
NAND01GW3B2AN6 |
参数属性 | NAND01GW3B2AN6 封装/外壳为48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽);包装为托盘;类别为集成电路(IC) > 存储器;产品描述:IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP |
功能描述 | 1 Gbit, 2 Gbit, 2112 Byte/1056 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memory |
文件大小 |
631.49 Kbytes |
页面数量 |
64 页 |
生产厂商 | STMicroelectronics |
企业简称 |
STMICROELECTRONICS【意法半导体】 |
中文名称 | 意法半导体(ST)集团官网 |
原厂标识 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2024-5-24 18:20:00 |
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NAND01GW3B2AN6属于集成电路(IC) > 存储器。意法半导体(ST)集团制造生产的NAND01GW3B2AN6存储器存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-线。
产品属性
- 产品编号:
NAND01GW3B2AN6F
- 制造商:
STMicroelectronics
- 类别:
集成电路(IC) > 存储器
- 包装:
托盘
- 存储器类型:
非易失
- 存储器格式:
闪存
- 技术:
闪存 - NAND
- 存储容量:
1Gb(128M x 8)
- 存储器接口:
并联
- 写周期时间 - 字,页:
30ns
- 电压 - 供电:
2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:
-40°C ~ 85°C(TA)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽)
- 供应商器件封装:
48-TSOP
- 描述:
IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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