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NAND01GW3B2AN6E 集成电路(IC)存储器 STMICROELECTRONICS/意法半导体
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原厂料号:NAND01GW3B2AN6E品牌:ST/意法
原装,请咨询
NAND01GW3B2AN6E是集成电路(IC) > 存储器。制造商ST/意法/STMicroelectronics生产封装TSOP/48-TFSOP(0.724",18.40mm 宽)的NAND01GW3B2AN6E存储器存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-Wire。
产品属性
更多- 类型
描述
- 制造商编号
:NAND01GW3B2AN6E
- 生产厂家
:意法
- 存储器格式
:闪存
- 技术
:FLASH - NAND
- 存储容量
:1Gb (128M x 8)
- 写周期时间 - 字,页
:30ns
- 访问时间
:30ns
- 存储器接口
:并联
- 电压 - 电源
:2.7 V ~ 3.6 V
- 工作温度
:-40°C ~ 85°C(TA)
- 安装类型
:表面贴装
- 封装/外壳
:48-TFSOP(0.724\,18.40mm 宽)
- 供应商器件封装
:48-TSOP
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