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NAND04GW3C2BN6E 集成电路(IC)存储器 MICRON/镁光
- 详细信息
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产品属性
- 类型
描述
- 型号
:NAND04GW3C2BN6E
- 存储器格式
:闪存
- 技术
:FLASH - NAND
- 存储容量
:4Gb (512M x 8)
- 写周期时间 - 字,页
:25ns
- 访问时间
:25ns
- 存储器接口
:并联
- 电压 - 电源
:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度
:-40°C ~ 85°C(TA)
- 安装类型
:表面贴装
- 封装/外壳
:48-TFSOP(0.724\,18.40mm 宽)
- 供应商器件封装
:48-TSOP
供应商
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