| 零件编号 | 下载 订购 | 功能描述/丝印 | 制造商 上传企业 | LOGO |
|---|---|---|---|---|
Marking：N5.P；Package：DFN1006-3L；N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features| VDS=20V| .RDS(ON)=300ma(typ)@VGS=25V .RDS(ON)=250mQ(typ)@VGS=4.5V «ESDProtectedupto2KV| | TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟电子台舟电子股份有限公司 | TECHPUBLIC | ||
Marking：N5.P；Package：DFN1006-3L；N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features VDS=20V +RDS(ON)=300mQ(typ)@VGS=2.5V +RDS(ON)=250mQ(typ.)@VGS=4.5V +ESDProtectedupto2KV | TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟电子台舟电子股份有限公司 | TECHPUBLIC | ||
Marking：N5.P；Package：DFN1006-3L；N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features VS=20v +RDS(ON)=300mQ(typ)@VGS=2.5V/ +RDS(ON)=250mQ(typ)@VGS=4.5V/ +ESDProtectedupto2KV. | TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟电子台舟电子股份有限公司 | TECHPUBLIC | ||
Marking：N5.P；Package：DFN1006-3L；N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features VS=20v +RDS(ON)=300mQ(typ)@VGS=2.5V/ +RDS(ON)=250mQ(typ)@VGS=4.5V/ +ESDProtectedupto2KV. | TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟电子台舟电子股份有限公司 | TECHPUBLIC | ||
Marking：N5.P；Package：DFN1006-3L；N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features VS=20v +RDS(ON)=300mQ(typ)@VGS=2.5V/ +RDS(ON)=250mQ(typ)@VGS=4.5V/ +ESDProtectedupto2KV. | TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟电子台舟电子股份有限公司 | TECHPUBLIC | ||
Marking：N5.P；Package：DFN1006-3L；N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features VS=20v +RDS(ON)=300mQ(typ)@VGS=2.5V/ +RDS(ON)=250mQ(typ)@VGS=4.5V/ +ESDProtectedupto2KV. | TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟电子台舟电子股份有限公司 | TECHPUBLIC | ||
Marking：N5.P；Package：DFN1006-3L；N-Channel Enhancement Mode MOSFET Features VS=20v +RDS(ON)=300mQ(typ)@VGS=2.5V/ +RDS(ON)=250mQ(typ)@VGS=4.5V/ +ESDProtectedupto2KV. | TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟电子台舟电子股份有限公司 | TECHPUBLIC |
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|
