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RV2C010UN

丝印:N5.P;Package:DFN1006-3L;N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features VDS = 20V + RDS(ON)=300mQ (typ) @ VGS= 2.5V + RDS(ON) =250mQ (typ.) @ VGS= 4.5V + ESD Protected up to 2KV

文件:2.52733 Mbytes 页数:5 Pages

TECHPUBLIC

台舟电子

RV2C010UN

Nch 20V 1A Power MOSFET

文件:2.66057 Mbytes 页数:14 Pages

ROHM

罗姆

RV2C010UN

20V 1A Nch 功率MOSFET

超小型封装(1006尺寸)的RV2C010UN适用于便携式设备用途。 · Low on-resistance.\n· High Power small mold Package(VML1006).\n· Pb-free lead plating; RoHS compliant.\n· Halogen Free.\n· ESD protection up to 200V (MM).\n  up to 2kV(HBM).;

ROHM

罗姆

RV2C010UNM60T2L1

包装:卷带(TR) 类别:分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 描述:MOSFET N-CH 20V 1A VML1006

Rohm Semiconductor

Rohm Semiconductor

技术参数

  • 封装:

    VML1006

  • 包装数量:

    8000

  • 最小独立包装数量:

    8000

  • 包装形态:

    Taping

  • RoHS:

    Yes

  • Package Code:

    DFN1006-3

  • JEITA Package:

    SC-101

  • Number of terminal:

    3

  • Polarity:

    Nch

  • Drain-Source Voltage VDSS[V]:

    20

  • Drain Current ID[A]:

    1

  • RDS(on)[Ω] VGS=1.2V(Typ.):

    0.7

  • RDS(on)[Ω] VGS=1.5V(Typ.):

    0.54

  • RDS(on)[Ω] VGS=2.5V(Typ.):

    0.4

  • RDS(on)[Ω] VGS=4.5V(Typ.):

    0.34

  • RDS(on)[Ω] VGS=Drive (Typ.):

    0.7

  • Power Dissipation (PD)[W]:

    0.4

  • Drive Voltage[V]:

    1.2

  • Mounting Style:

    Surface mount

  • Storage Temperature (Min.)[°C]:

    -55

  • Storage Temperature (Max.)[°C]:

    150

  • Package Size [mm]:

    0.6x1 (t=0.4)

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更多RV2C010UN供应商 更新时间2025-10-4 17:26:00