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PNM3FD201E0

丝印:N5.P;Package:DFN1006-3L;N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features | VDS = 20V | . RDS(ON)=300ma (typ) @ VGS=25V . RDS(ON) =250mQ (typ) @ VGS=4.5V «ESD Protected up to 2KV |

文件:2.52898 Mbytes 页数:5 Pages

TECHPUBLIC

台舟电子

PNM3FD201E0

N MOSFET

Prisemi

芯导科技

PNVT012A0X3-SRZ

MODULE

PNX1502E

BGA

PHI

PNX5120EH/M2A/F4

BGA

TRIDENT

技术参数

  • VDS (V):

    20

  • VGS (±V):

    8

  • ID (A):

    0.3

  • RDS(ON)(mΩ)2.5V:

    500

  • VGS(th)(V) Min.:

    0.5

  • VGS(th)(V) Max.:

    1.1

  • Package:

    DFN1006-3L

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