丝印：N5.P；Package：DFN1006-3L；N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Features VS = 20v + RDS(ON) =300mQ (typ) @ VGS= 2.5V/ + RDS(ON) =250mQ (typ) @ VGS= 4.5V/ + ESD Protected up to 2KV.

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TECHPUBLIC

台舟电子

SOT-723 Plastic-Encapsulate MOSFETS

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SKTECHNOLGYSHIKE Electronics

时科广东时科微实业有限公司

Medium Current General Purpose Amplifiers and Switches

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RAYTHEON

雷神

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

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SECOS

喜可士