选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市科芯源微电子有限公司4年
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RENESAS/瑞萨SOT-343 |
100586 |
23+ |
全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费! |
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深圳市力通伟业半导体有限公司8年
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NECSOT343 |
45165 |
13+ |
特价热销现货库存 |
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深圳市英瑞尔电子科技有限公司10年
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NECSOT343 |
598000 |
22+ |
原装现货假一赔十 |
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深圳市恒创达实业有限公司11年
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NECSOT23-3 |
6200 |
17+ |
100%原装正品现货 |
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深圳市胜彬电子有限公司11年
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NECSOT23-3 |
3000 |
22+ |
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原装正品,支持实单 |
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深圳诚思涵科技有限公司9年
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NECSOT23-3 |
10000 |
16+ |
进口原装现货/价格优势! |
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深圳市永贝尔科技有限公司7年
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CEL原厂原包 |
19960 |
23+ |
只做进口原装 终端工厂免费送样 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
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NECSOT23-3 |
25000 |
22+ |
只有原装原装,支持BOM配单 |
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深圳市近平电子有限公司8年
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NEC面议 |
19 |
6000 |
DIP/SMD |
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深圳市凌旭科技有限公司12年
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NECSOT343 |
1900 |
2016+ |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
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深圳市科恒伟业电子有限公司9年
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NECSOT343 |
98215 |
1742+ |
只要网上有绝对有货!只做原装正品! |
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千层芯半导体(深圳)有限公司6年
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CEL原厂原装 |
4000 |
17+ |
原装正品 |
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深圳深宇韬电子科技有限公司1年
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NECSOT-343 |
8800 |
2023+ |
正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。 |
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深圳市芯祺盛科技有限公司11年
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NECSOT-343 |
96000 |
1925+ |
真实库存!原装特价!实单必成交! |
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深圳市亿联芯电子科技有限公司13年
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NECSOT-343 |
2885 |
2023+ |
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一级代理优势现货,全新正品直营店 |
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深圳市锦喆鸿电子有限公司5年
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NECSOT-343 |
12588 |
21+ |
原装正品,自己库存 假一罚十 |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
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NECSOT-343 |
80000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
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NECNA/ |
98178 |
23+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市品优时代科技有限公司5年
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NEC |
9750 |
4932+ |
进品原装正品 现货库存带17%增值发票 |
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深圳硅原半导体有限公司7年
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RENESAS/瑞萨SOT343 |
28533 |
原盒原标,正品现货 诚信经营 价格美丽 假一罚十! |
NE52418采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
NE52418图片
NE52418-T1-A中文资料Alldatasheet PDF
更多NE52418功能描述:MOSFET NPN L-S Lo Noise Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NE52418-A功能描述:射频GaAs晶体管 NPN L-S Lo Noise Amp RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS(最大值/最小值):4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体:
NE52418-EVNF58功能描述:EVAL BOARD FOR NE52418 RoHS:否 类别:RF/IF 和 RFID >> RF 评估和开发套件,板 系列:- 标准包装:1 系列:- 类型:GPS 接收器 频率:1575MHz 适用于相关产品:- 已供物品:模块 其它名称:SER3796
NE52418-T1制造商:California Eastern Laboratories(CEL) 功能描述:Trans GP BJT NPN 3V 0.04A 4-Pin Super Mini-Mold T/R
NE52418-T1-A功能描述:射频GaAs晶体管 L to S Band LW Noise AMP NPN GaAs HBT RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技术类型:pHEMT 频率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪声系数: 正向跨导 gFS(最大值/最小值):4 S 漏源电压 VDS: 闸/源击穿电压:- 8 V 漏极连续电流:3 A 最大工作温度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安装风格: 封装 / 箱体: