NE52418-T1分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频规格书PDF中文资料

厂商型号	NE52418-T1
参数属性	NE52418-T1 封装/外壳为SC-82A，SOT-343；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频；产品描述：RF TRANS NPN 5V 4-SMINI MOLD
功能描述	GaAs HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR
丝印标识	V45
封装外壳	SC-82A，SOT-343
文件大小	231.33 Kbytes
页面数量	14 页
生产厂商	Renesas Technology Corp
企业简称	RENESAS【瑞萨】
中文名称	瑞萨科技有限公司官网
原厂标识
数据手册	下载地址一下载地址二到原厂下载
更新时间	2025-8-4 23:00:00
人工找货	NE52418-T1价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货

L to S BAND LOW NOISE AND HIGH GAIN AMPLIFIER

NPN GaAs HBT

DESCRIPTION

The NE52418 is an NPN GaAs HBT (Heterojunction Bipolar Transistor) developed for L to S band mobile

communication equipment.

FEATURES

• Ideal for low noise and high gain amplifiers

NF = 0.95 dB TYP., Ga = 17 dB TYP. (@ VCE = 2 V, IC = 3 mA, f = 2 GHz, ZS = ZL = 50 W)

IIP3 = +8 dBm TYP. (@ VCE = 2.5 V, IC = 8 mA, f = 2 GHz, 1 tone, ZS = ZL = Zopt)

• 4-pin super minimold package employed (SOT-343 style)

• Grounded emitter transistor

APPLICATIONS

• Mobile communication terminals and other L to S band microwave communication applications

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