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MUN5312DW1T1G	文件：373.98 Kbytes Page：35 Pages	Dual Bias Resistor Transistors 文件：373.98 Kbytes 页数：35 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MUN5312DW1T1G	文件：300 bytes Page：1 Pages	双极晶体管 - 预偏置 100mA Complementary 50V NPN & PNP	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

电流 - 集电极（Ic）（最大值）：
100mA
电压 - 集射极击穿（最大值）：
50V
电阻器 - 基底（R1）：
22 千欧
电阻器 - 发射极基底（R2）：
22 千欧
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）：
60 @ 5mA，10V
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）：
250mV @ 300µA，10mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
500nA
功率 - 最大值：
250mW
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装：
SC-88/SC70-6/SOT-363

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更多MUN5312DW1T1供应商更新时间2026-2-1 22:59:00

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