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MUN5312DW1T1	文件：367.77 Kbytes Page：13 Pages	Dual Bias Resistor Transistors Dual Bias Resistor Transistors NPN and PNP Silicon Surface Mount Transistors with Monolithic Bias Resistor Network The BRT (Bias Resistor Transistor) contains a single transistor with a monolithic bias network consisting of two resistors; a series base resistor and a base–emitter resistor. Thes 文件：367.77 Kbytes 页数：13 Pages	LRC 乐山无线电	LRC
MUN5312DW1T1	文件：308.03 Kbytes Page：16 Pages	Dual Bias Resistor Transistors Dual Bias Resistor Transistors NPN and PNP Silicon Surface Mount Transistors with Monolithic Bias Resistor Network The BRT (Bias Resistor Transistor) contains a single transistor with a monolithic bias network consisting of two resistors; a series base resistor and a base–emitter resistor. Thes 文件：308.03 Kbytes 页数：16 Pages	MOTOROLA 摩托罗拉	MOTOROLA
MUN5312DW1T1	文件：281.32 Kbytes Page：34 Pages	Dual Bias Resistor Transistors Dual Bias Resistor Transistors NPN and PNP Silicon Surface Mount Transistors with Monolithic Bias Resistor Network The BRT (Bias Resistor Transistor) contains a single transistor with a monolithic bias network consisting of two resistors; a series base resistor and a base−emitter resistor. These 文件：281.32 Kbytes 页数：34 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MUN5312DW1T1	文件：661.99 Kbytes Page：13 Pages	Dual Bias Resistor Transistors 文件：661.99 Kbytes 页数：13 Pages	ETL 亚历电子	ETL
MUN5312DW1T1	文件：373.98 Kbytes Page：35 Pages	Dual Bias Resistor Transistors 文件：373.98 Kbytes 页数：35 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MUN5312DW1T1	文件：300 bytes Page：1 Pages	TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MUN5312DW1T1G	文件：830.77 Kbytes Page：34 Pages	Dual Bias Resistor Transistors 文件：830.77 Kbytes 页数：34 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MUN5312DW1T1G	文件：105.87 Kbytes Page：10 Pages	Complementary Bias Resistor Transistors 文件：105.87 Kbytes 页数：10 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MUN5312DW1T1G	文件：168.49 Kbytes Page：10 Pages	Complementary Bias Resistor Transistors R1 = 22 k, R2 = 22 k 文件：168.49 Kbytes 页数：10 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
MUN5312DW1T1G	文件：270.41 Kbytes Page：34 Pages	Dual Bias Resistor Transistors 文件：270.41 Kbytes 页数：34 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

电流 - 集电极（Ic）（最大值）：
100mA
电压 - 集射极击穿（最大值）：
50V
电阻器 - 基底（R1）：
22 千欧
电阻器 - 发射极基底（R2）：
22 千欧
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）：
60 @ 5mA，10V
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）：
250mV @ 300µA，10mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
500nA
功率 - 最大值：
250mW
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装：
SC-88/SC70-6/SOT-363

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更多MUN5312DW1T1供应商更新时间2026-2-1 9:38:00

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