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MTP10N06E	文件：272.9 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 10A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.2Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：272.9 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
MTP10N06E	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans MOSFET N-CH 60V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB	NJS 新泽西半导体	NJS
VNK10N06FM	文件：168.29 Kbytes Page：14 Pages	ISO HIGH SIDE SMART POWER SOLID STATE RELAY Description The VND10N06 and VND10N06-1 are monolithic devices designed in STMicroelectronics VIPower M0-2 technology, intended for replacement of standard Power MOSFETs in DC to 50KHz applications. Built in thermal shutdown, linear current limitation and overvoltage clamp protect the chip in h 文件：168.29 Kbytes 页数：14 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
VNP10N06	文件：126.87 Kbytes Page：11 Pages	?쒹MNIFET?? FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET 文件：126.87 Kbytes 页数：11 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
VNP10N06FI	文件：168.29 Kbytes Page：14 Pages	ISO HIGH SIDE SMART POWER SOLID STATE RELAY Description The VND10N06 and VND10N06-1 are monolithic devices designed in STMicroelectronics VIPower M0-2 technology, intended for replacement of standard Power MOSFETs in DC to 50KHz applications. Built in thermal shutdown, linear current limitation and overvoltage clamp protect the chip in h 文件：168.29 Kbytes 页数：14 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS

技术参数

Minimum Operating Temperature：
-65°C
Maximum Power Dissipation：
75000mW
Maximum Operating Temperature：
150°C
Maximum Gate Source Voltage：
±20V
Maximum Drain Source Voltage：
60V
Maximum Continuous Drain Current：
10A
Material：
Si
Configuration：
Single
Channel Type：
N
Channel Mode：
Enhancement
Category：
Power MOSFET

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更多MTP10N06E供应商更新时间2026-11-1 10:20:00

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