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MTP10N06E	文件：272.9 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 10A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.2Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：272.9 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
MTP10N06E	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans MOSFET N-CH 60V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB	NJS	NJS
SDD10N06	文件：127.42 Kbytes Page：1 Pages	Discrete Diodes 文件：127.42 Kbytes 页数：1 Pages	SIRECTIFIER 矽莱克电子	SIRECTIFIER
SDD10N06	文件：406.19 Kbytes Page：2 Pages	10 Ampere Heatsink Dual Tandem Polarity General Purpose Rectifier Diodes 文件：406.19 Kbytes 页数：2 Pages	THINKISEMI 思祁半导体	THINKISEMI
SDP10N06	文件：1.10774 Mbytes Page：10 Pages	N-Channel 650V (D-S) Power MOSFET 文件：1.10774 Mbytes 页数：10 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多MTP10N06E供应商更新时间2026-3-16 16:00:00