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MTM12N10	文件：261.14 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= 12A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= 100V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.18Ω(Max)@VGS= 10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：261.14 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
MTM12N10	文件：99.76 Kbytes Page：2 Pages	Power Field Effect Transistor 文件：99.76 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
MTM12N10	文件：99.75 Kbytes Page：2 Pages	Power Field Effect Transistor 文件：99.75 Kbytes 页数：2 Pages	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司	NJSEMI
MTM12N10	文件：177.4 Kbytes Page：5 Pages	POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR 文件：177.4 Kbytes 页数：5 Pages	Motorola 摩托罗拉	Motorola
MTM12N10	文件：300 bytes Page：1 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE SILICON GATE TMOS POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR	NJS	NJS
MTM12N10E	文件：177.4 Kbytes Page：5 Pages	POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR 文件：177.4 Kbytes 页数：5 Pages	Motorola 摩托罗拉	Motorola

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