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MTM12N10	文件：261.14 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=12A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=100V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.18Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MTM12N10	文件：177.4 Kbytes Page：5 Pages	POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
MTM12N10	文件：99.76 Kbytes Page：2 Pages	Power Field Effect Transistor	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
MTM12N10	文件：99.75 Kbytes Page：2 Pages	Power Field Effect Transistor	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
MTM12N10E	文件：177.4 Kbytes Page：5 Pages	POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
12N10	文件：1.68514 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel100V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
12N10	文件：194.56 Kbytes Page：5 Pages	12A,100VN-CHANNELPOWERMOSFET	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
12N10	文件：443.06 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel100V(D-S)MOSFET	UMWUMW 友台友台半导体	UMW
12N10L	文件：1.00844 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel100V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
12N10P	文件：532.37 Kbytes Page：7 Pages	12Amps,100VoltsN-CHANNELPowerMOSFET	CHONGQINGCHONGQING PINGYANG ELECTRONICS CO.,LTD 重庆平伟实业重庆平伟实业股份有限公司	CHONGQING
A12N10P	文件：2.00209 Mbytes Page：16 Pages	PanelsandPanelAccessories	PENTAIRPentair plc. All rights reserved. 滨特尔滨特尔集团	PENTAIR
A12N10PP	文件：2.00209 Mbytes Page：16 Pages	PanelsandPanelAccessories	PENTAIRPentair plc. All rights reserved. 滨特尔滨特尔集团	PENTAIR
A12N10PP	文件：1.87751 Mbytes Page：16 Pages	PERFORATEDPANELS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商	etc2
BRF12N10	文件：794.16 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNELMOSFETinaTO-220FPlasticPackage	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
CED12N10	文件：140.95 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■100V,11A,RDS(ON)=180mΩ@VGS=10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET
CED12N10	文件：1.30558 Mbytes Page：4 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
CED12N10	文件：978.88 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel100V(D-S)MOSFET FEATURES •DT-TrenchPowerMOSFET •175°CJunctionTemperature •100RgTested APPLICATIONS •PrimarySideSwitch	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
CED12N10	文件：873.64 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 100V,11A,RDS(ON)=180mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. Leadfreeproductisacquired.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CED12N10L	文件：552.85 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 100V,11A,RDS(ON)=175mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RoHScompliant. RDS(ON)=185mW@VGS=5V.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CED12N10L	文件：978.87 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel100V(D-S)MOSFET FEATURES •DT-TrenchPowerMOSFET •175°CJunctionTemperature •100RgTested APPLICATIONS •PrimarySideSwitch	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

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详细参数

型号：
MTM12N10
制造商：
MOTOROLA
制造商全称：
Motorola, Inc
功能描述：
POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市特顺芯科技有限公司	MTM12N10	MOT	02+	TO-3	587		询价
深圳市弘为电子有限公司	MTM12N10	MOTOROLA	16+	TO-3	1100	原装现货假一罚十	询价
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无锡固电半导体股份有限公司	MTM12N10	isc	2024	TO-3	2250	国产品牌isc,可替代原装	询价
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