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MTM8P10	文件：383.29 Kbytes Page：5 Pages	POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR Power Field Effect Transistor P-Channel Enhancement-Mode Silicon Gate TMOS TMOS POWER FETs 8 AMPERES rDS(on) = 0.4 OHM 80 and 100 VOLTS 文件：383.29 Kbytes 页数：5 Pages	Motorola 摩托罗拉	Motorola
MTM8P10	文件：309.35 Kbytes Page：2 Pages	isc P-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current -ID= -8A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage -VDSS= -100V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 0.8Ω(Max)@VGS= -10V DESCRIPTION ·Motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive. 文件：309.35 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
MTP8P10	文件：383.29 Kbytes Page：5 Pages	POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR Power Field Effect Transistor P-Channel Enhancement-Mode Silicon Gate TMOS TMOS POWER FETs 8 AMPERES rDS(on) = 0.4 OHM 80 and 100 VOLTS 文件：383.29 Kbytes 页数：5 Pages	Motorola 摩托罗拉	Motorola
MTP8P10	文件：168.99 Kbytes Page：5 Pages	POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR Power Field Effect Transistor P-Channel Enhancement-Mode Silicon Gate TMOS TMOS POWER FETs 8 AMPERES rDS(on) = 0.4 OHM 80 and 100 VOLTS 文件：168.99 Kbytes 页数：5 Pages	Motorola 摩托罗拉	Motorola
MTP8P10	文件：938.13 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel 100-V (D-S) MOSFET 文件：938.13 Kbytes 页数：7 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI

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