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3N55	文件：68.03 Kbytes Page：2 Pages	FastSwitching	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MTP3N55	文件：37.14 Kbytes Page：2 Pages	HIGHVOLTAGEPOWERMOSFETN-CHANNEL [SEMICONDUCTORTECHNOLOGY,INC.] HIGHVOLTAGEPOWERMOSFETN-CHANNEL CASEOUTLINE:TO-220	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
MTP3N55	文件：301.08 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=3A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=550V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=2.5Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MTP3N55	文件：125.02 Kbytes Page：3 Pages	PowerFieldEffectTransistor PowerFieldEffectTransistor N-ChannelEnhancement-Mode SiliconGateTWOS TheseTMOSPowerFETsaredesignedforhighvoltage,highspeedpowerswitchingapplicationssuchasswitchingregulators,converters,solenoidandrelaydrivers. •SiliconGateforFastSwitchingSpeeds—SwitchingTim	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
MTP3N55	文件：125.02 Kbytes Page：3 Pages	PowerFieldEffectTransistor PowerFieldEffectTransistor N-ChannelEnhancement-Mode SiliconGateTWOS TheseTMOSPowerFETsaredesignedforhighvoltage,highspeedpowerswitchingapplicationssuchasswitchingregulators,converters,solenoidandrelaydrivers. •SiliconGateforFastSwitchingSpeeds—SwitchingTim	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
RT3N55M	文件：62.61 Kbytes Page：3 Pages	CompositeTransistorWithResistor DESCRIPTION RT3N55MisacompositetransistorbuiltwithtwoRT1N144chipsinSC-88package. FEATURE SiliconNPNepitaxialtype Eachtransistorelementsareindependent. Minipackageforeasymounting APPLICATION Invertedcircuit,switchingcircuit,interfacecircuit,drivercir	ISAHAYAIsahaya Electronics Corporation 谏早电子谏早电子株式会社	ISAHAYA

详细参数

型号：
MTM3N55
制造商：
Motorola Inc
功能描述：
MOSFET Transistor, N-Channel, TO-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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