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MTM50N05	文件：300 bytes Page：1 Pages	TMOS IV POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS;	NXPNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	NXP
MTM50N05	文件：224.09 Kbytes Page：6 Pages	TMOS IV POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MTM50N05E	文件：224.09 Kbytes Page：6 Pages	TMOS IV POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MTP50N05E	文件：295.27 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=50A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=50V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=28mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MTP50N05EL	文件：979.64 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel60-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
OM50N05SA	文件：215.37 Kbytes Page：6 Pages	LOWVOLTAGE,LOWRDS(on)POWERMOSFETSINHERMETICISOLATEDPACKAGE DESCRIPTION ThisseriesofhermeticpackagedMOSFETsareideallysuitedforlowvoltageapplications;batterypoweredvoltagepowersupplies,motorcontrols,dctodcconvertersandsynchronousrectification.Thelowconductionlossallowssmallerheatsinkingandthelowgatechargesimplerdr	IRF International Rectifier	IRF
OM50N05ST	文件：215.37 Kbytes Page：6 Pages	LOWVOLTAGE,LOWRDS(on)POWERMOSFETSINHERMETICISOLATEDPACKAGE DESCRIPTION ThisseriesofhermeticpackagedMOSFETsareideallysuitedforlowvoltageapplications;batterypoweredvoltagepowersupplies,motorcontrols,dctodcconvertersandsynchronousrectification.Thelowconductionlossallowssmallerheatsinkingandthelowgatechargesimplerdr	IRF International Rectifier	IRF
RFG50N05	文件：47.34 Kbytes Page：6 Pages	50A,50V,0.022Ohm,N-ChannelPowerMOSFETs TheseareN-ChannelpowerMOSFET’SmanufacturedusingtheMegaFETprocess.Thisprocess,whichusesfeaturesizesapproachingthoseofLSIintegratedcircuits,givesoptimumutilizationofsilicon,resultinginoutstandingperformance.Theyweredesignedforuseinapplicationssuchasswitchingr	Intersil Intersil Corporation	Intersil
RFG50N05L	文件：376.7 Kbytes Page：6 Pages	50A,50V,0.022Ohm,LogicLevel,N-ChannelPowerMOSFETs Thesearelogic-levelN-channelpowerMOSFETsmanufacturedusingtheMegaFETprocess.Thisprocess,whichusesfeaturesizesapproachingthoseofLSIintegratedcircuitsgivesoptimumutilizationofsilicon,resultinginoutstandingperformance.Theyweredesignedforusewithlogic-level(5V)dri	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
RFG50N05L	文件：51.8 Kbytes Page：6 Pages	50A,50V,0.022Ohm,LogicLevel,N-ChannelPowerMOSFETs Thesearelogic-levelN-channelpowerMOSFETsmanufacturedusingtheMegaFETprocess.Thisprocess,whichusesfeaturesizesapproachingthoseofLSIintegratedcircuitsgivesoptimumutilizationofsilicon,resultinginoutstandingperformance.Theyweredesignedforusewithlogic-level(5V)dri	Intersil Intersil Corporation	Intersil

详细参数

型号：
MTM50N05
制造商：
MOTOROLA
制造商全称：
Motorola, Inc
功能描述：
TMOS IV POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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