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MTD3055EL

TMOS IV Power Field Effect Transistor(N-Channel Enhancement-Mode Silicon Gate)

文件:380.11 Kbytes 页数:6 Pages

Motorola

摩托罗拉

MTD3055ELT4G

N-Channel 60 V (D-S) MOSFET

文件:1.00292 Mbytes 页数:8 Pages

VBSEMI

微碧半导体

MTD3055V

Power MOSFET 12Amps, 60 Volts

文件:81.39 Kbytes 页数:12 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MTD3055V1

Power MOSFET 12Amps, 60 Volts

文件:81.39 Kbytes 页数:12 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MTD3055V-1G

N-Channel 60 V (D-S) MOSFET

文件:960.11 Kbytes 页数:7 Pages

VBSEMI

微碧半导体

MTD3055VL

Power MOSFET 12 Amps, 60 Volts

文件:86.03 Kbytes 页数:12 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MTD3055VL1

Power MOSFET 12 Amps, 60 Volts

文件:86.03 Kbytes 页数:12 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MTD3055VLG

N-Channel 60 V (D-S) MOSFET

文件:1.00415 Mbytes 页数:8 Pages

VBSEMI

微碧半导体

MTD3055VLT4

Power MOSFET 12 Amps, 60 Volts

文件:86.03 Kbytes 页数:12 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MTD3055VLT4G

N-Channel 60 V (D-S) MOSFET

文件:1.00294 Mbytes 页数:8 Pages

VBSEMI

微碧半导体

技术参数

  • Package:

    DFN5×6

  • Channel:

    Single N

  • BVDSS(V):

    100

  • ID(A):

    26

  • Vgs(±V):

    20

  • VGS(th) max(V):

    2.5

  • RDS(ON) @ 10V(mΩ):

    24(17)

  • RDS(ON) @4.5V(mΩ):

    35(23)

  • Ciss typ.(pF):

    1256

  • Crss typ.(pF):

    27

  • Qg typ (nC):

    22

  • Qgd typ.(nC):

    4

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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SOP
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正品:QQ;2987726803
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更多MTD供应商 更新时间2025-12-19 10:31:00