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MT3S20P数据手册分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频规格书PDF

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厂商型号

MT3S20P

参数属性

MT3S20P 封装/外壳为TO-243AA;包装为托盘;类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频;产品描述:RF TRANS NPN 12V 7GHZ PW-MINI

功能描述

Radio-frequency bipolar transistor

封装外壳

TO-243AA

制造商

Toshiba Toshiba Semiconductor

中文名称

东芝 株式会社东芝

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-5 22:58:00

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MT3S20P规格书详情

描述 Description

Application Scope:VHF/UHF band low noise, low distortion amplifier
Polarity:NPN
Number of Circuits:1
RoHS Compatible Product(s) (#):Available
Assembly bases:日本

特性 Features

Collector Current IC 0.08 A
Collector power dissipation PCmounted 1800 mW
Junction temperature Tj 150 ℃
Collector-emitter voltage VCEO 12 V

技术参数

  • 制造商编号

    :MT3S20P

  • 生产厂家

    :Toshiba

  • application scope

    :VHF/UHF band low noise

  • Number of Circuits

    :1

  • VCEO (Max) (V)

    :12

  • IC (Max) (A)

    :0.08

  • fT (Typ.) (GHz)

    :7

  • |S21|2 (Typ.) (dB)

    :11

  • NF (Typ.) (dB)

    :1.45

  • Number of pins

    :3

  • Surface mount package

    :Y

  • Package name(Toshiba)

    :PW-Mini

  • Width×Length×Height(mm)

    :4.6 x 4.2 x 1.6

  • Package Size(mm^2)

    :19.32

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