MT3S20P(TE12L,F) 分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 射频 Toshiba Semiconductor and Stor

图片仅供参考，请参阅产品规格书

订购数量	价格
1+	0.01

厂家型号：
MT3S20P(TE12L,F)
产品分类：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
生产厂商：
Toshiba Semiconductor and Stor
库存数量：
38550
产品封装：
PW-MINI
生产批号：
2022+
库存类型：
常用库存
更新时间：
2025-11-18 8:24:00

数据手册更多货源

详细信息
规格书下载

原厂料号：MT3S20P(TE12L,F)品牌：Toshiba Semiconductor and Stor

全新原装支持表配单中国著名电子元器件独立分销

MT3S20P(TE12L,F)是分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频。制造商Toshiba Semiconductor and Stor/Toshiba Semiconductor and Storage生产封装PW-MINI/TO-243AA的MT3S20P(TE12L,F)晶体管 - 双极（BJT）- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件，用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP，特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。

芯片型号：
MT3S20P(TE12L,F)
规格书：
下载

产品属性

类型
描述
产品编号：
MT3S20P(TE12L,F)
制造商：
Toshiba Semiconductor and Storage
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
包装：
托盘
晶体管类型：
NPN
电压 - 集射极击穿（最大值）：
12V
频率 - 跃迁：
7GHz
噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：
1.45dB @ 1GHz
增益：
16.5dB
功率 - 最大值：
1.8W
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 50mA，5V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
80mA
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-243AA
供应商器件封装：
PW-MINI
描述：
RF TRANS NPN 12V 7GHZ PW-MINI

供应商

企业：
深圳市鹏顺微电子科技有限公司
商铺：
进入商铺留言
联系人：
杨先生
手机：
13682380609
询价：
电话：
0755-88850894/13682380609
传真：
0755-88850894
地址：
深圳市福田区华强赛格电子市场69楼6904B-6905A室

MT3S20P(TE12L,F) 分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 射频 Toshiba Semiconductor and Stor

MT3S20P(TE12L,F)

产品属性

供应商

相关型号

相近型号