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PBSS4350SPN	文件：696.38 Kbytes Page：14 Pages	50V,2.7ANPN/NPNlowVCEsat(BISS)transistor Features Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat HighcollectorcurrentcapabilityICandICM Highcollectorcurrentgain(hFE)athighIC Highefficiencyduetolessheatgeneration *SmallerrequiredPrinted-CircuitBoard(PCB)areathanforconventionaltransistors	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
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PBSS4350SS	文件：100.84 Kbytes Page：14 Pages	50V,2.7APNP/PNPlowVCEsat(BISS)transistor Generaldescription PNP/PNPdoublelowVCEsatBreakthroughInSmallSignal(BISS)transistorinamediumpowerSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. Features ■Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat ■HighcollectorcurrentcapabilityICandICM ■Highcollectorcurrentgain	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
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PBSS4350T	文件：84.47 Kbytes Page：10 Pages	50V;3ANPNlowVCEsat(BISS)transistor DESCRIPTION NPNlowVCEsattransistorinaSOT23plasticpackage.PNPcomplement:PBSS5350T. FEATURES •Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsatandcorrespondinglowRCEsat •Highcollectorcurrentcapability •Highcollectorcurrentgain •Improvedefficiencyduetoreducedheatgene	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PBSS4350T	文件：368.74 Kbytes Page：10 Pages	50V;3ANPNlowVCEsat(BISS)transistor DESCRIPTION NPNlowVCEsattransistorinaSOT23plasticpackage.PNPcomplement:PBSS5350T. FEATURES •Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsatandcorrespondinglowRCEsat •Highcollectorcurrentcapability •Highcollectorcurrentgain •Improvedefficiencyduetoreducedheatgene	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
PBSS4350T	文件：948.33 Kbytes Page：12 Pages	LowVCEsat(BISS)transistors	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PBSS4350T	文件：950.45 Kbytes Page：6 Pages	SiliconNPNtransistorinaSOT-23PlasticPackage Descriptions SiliconNPNtransistorinaSOT-23PlasticPackage. Features LowVCE(sat),highcurrent. Applications Generalpurposeswitchingandmuting,LCDback-lighting,supplylineswitchingcircuits.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
PBSS4350T	文件：1.30095 Mbytes Page：13 Pages	50V;3ANPNlowVCEsattransistor 1.Generaldescription NPNlowVCEsattransistorinasmallSOT23(TO-236AB)Surface-MountedDevice(SMD)plastic package. PNPcomplement:PBSS5350T 2.Featuresandbenefits •Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsatandcorrespondinglowRCEsat •Highcollectorcurrentcapability	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

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产品属性

产品编号：
MSS4350RG
制造商：
TE Connectivity ALCOSWITCH Switches
类别：
开关 > 滑动开关
系列：
MSS
包装：
散装
电路：
4P3T
接触定时：
短路（MBB）
开关功能：
开-开-开
额定电流（安培）：
0.4VA（AC/DC）
致动器类型：
标准
致动器长度：
14.00mm
触头材料：
铜合金
触头表面处理：
镀金
安装类型：
通孔，直角
端接样式：
PC 引脚
特性：
环氧树脂密封端子
工作温度：
-20°C ~ 85°C
描述：
SWITCH SLIDE 4P3T 0.4VA 20V

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