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MSRT20080ADR

Standard Recovery Diodes

DACO

罡境电子

MSRT20080D

Silicon Standard Recovery Diode

文件:408.58 Kbytes 页数:3 Pages

GENESIC

MSRTA20080AD

Silicon Standard Recovery Diode

文件:393.21 Kbytes 页数:3 Pages

GENESIC

PTB20080

25 Watts, 1.6-1.7 GHz RF Power Transistor

Description ThPTB 20080 is a class A/AB, NPN, silicon bipolar junction, internallymatched RF power transistor intended for 26 Vdc operation from 1.6 to 1.7 GHz. It is rated at 25 Watts minimum output power for PEP applications. Ion implantation, nitride surface passivation and gold metallization

文件:445.22 Kbytes 页数:3 Pages

ERICSSON

爱立信

技术参数

  • VRRM (VPK):

    800

  • lF@Tc 140℃ (A)/per diode:

    200

  • IFSM Max (A):

    3000

  • IR@25℃(uA):

    10

  • IR@150℃(mA):

    5

  • VF@25℃ (V):

    1.1

  • Tj:

    -40℃ to +175℃

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多MSRT20080ADR供应商 更新时间2026-4-21 10:19:00