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PTB20080	文件：445.22 Kbytes Page：3 Pages	25 Watts, 1.6-1.7 GHz RF Power Transistor Description ThPTB20080isaclassA/AB,NPN,siliconbipolarjunction,internallymatchedRFpowertransistorintendedfor26Vdcoperationfrom1.6to1.7GHz.Itisratedat25WattsminimumoutputpowerforPEPapplications.Ionimplantation,nitridesurfacepassivationandgoldmetallization	EricssonEricsson Microelectronics 爱立信爱立信公司	Ericsson
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MBR20080	文件：121.24 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKYDIODESMODULETYPE200A Features HighSurgeCapability TypesUpto100VVRRM	TELTokyo Electron Ltd. 东电电子东京电子有限公司	TEL
MBR20080	文件：126.83 Kbytes Page：3 Pages	200AmpRectifier20to100VoltsSchottkyBarrier Features ·Metalofsiliconrectifier,majontycarrierconducton ·Guardringfortransientprotection ·Lowpowerlosshighefficiency ·Highsurgecapacity,Highcurrentcapability	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
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详细参数

型号：
PTB20080
制造商：
ERICSSON
制造商全称：
Ericsson
功能描述：
25 Watts, 1.6-1.7 GHz RF Power Transistor

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多PTB20080供应商更新时间2025-7-15 16:30:00

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