Mixed-Signal Microcontrollers

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Radiation Hardened Mixed-Signal Microcontroller

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具有 64KB FRAM、2KB SRAM、AES、12 位 ADC、比较器、DMA、UART/SPI/I2C 和计时器的 16MHz MCU

MSP430™超低功耗 (ULP) FRAM 平台将独特的嵌入式 FRAM 和整体超低功耗系统架构组合在一起，从而使得创新人员能够以较少的能源预算增加性能。FRAM 技术以低很多的功耗将 SRAM 的速度、灵活性和耐久性与闪存的稳定性和可靠性组合在一起。\n\nMSP430 ULP FRAM 产品系列包含一组采用 FRAM 的多种器件、ULP 16 位 MSP430 CPU 以及适用于各种 应用的智能外设。ULP 架构特有 7 种低功耗模式，针对在能量受限应用中延长电池使用寿命进行了 优化。 • 嵌入式微控制器 \n• 3.6V 至 1.8V 的宽电源电压范围（最低电源电压受限于 SVS 电平，请参阅 SVS 规格）\n• 经优化的超低功耗模式 \n• 待机（具有低功率低频内部时钟源 (VLO) 的 LPM3）：0.4µA（典型值）\n• 关断 (LPM4.5)：0.02µA（典型值）\n• 超低功耗铁电 RAM (FRAM) \n• 超低功耗写入\n• 统一标准存储器 = 单个空间内的程序 + 数据 + 存储\n• 抗辐射和非磁性\n• 智能数字外设 \n• 3 通道内部 DMA\n• 5 个 16 位定时器，每个定时器具有多达 7 个捕捉/比较寄存器\n• 高性能模拟 \n• ;

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耐辐射加固保障混合信号微控制器

MSP430™超低功耗 (ULP) FRAM 平台将独特的嵌入式 FRAM 和整体超低功耗系统架构组合在一起，从而使得创新人员能够以较少的能源预算增加性能。FRAM 技术以低很多的功耗将 SRAM 的速度、灵活性和耐久性与闪存的稳定性和可靠性组合在一起。\n\nMSP430FR5969-SP 的超低功耗架构可提供七种低功耗模式，这七种模式均经过优化，能够在低功耗的情况下对系统进行分布式遥测和维护。 \n\nMSP430FR5969-SP 的集成式混合信号 特性 使其非常适合用于下一代航天器的分布式遥测 应用 。对单粒子闩锁的强大抗干扰性和电离辐射总剂量使得该器件得以应用于多种空间和辐射环境中。 • 抗辐射加固 \n• 单粒子闩锁 (SEL) 在 125°C 下的抗扰度可达 72 MeV.cm2/mg\n• 48 引脚 VQFN 塑料封装\n• 延长了产品变更通知周期\n• 延长了产品生命周期\n• 嵌入式微控制器 \n• 宽电源电压范围（1.8V 至 3.6V）• \n• 优化的超低功率模式 \n• 待机（具有低功率低频内部时钟源 (VLO) 的 LPM3）：0.4µA（典型值）\n• 关断 (LPM4.5)：0.02µA（典型值）\n• 超低功耗铁电 RAM (FRAM) \n• 超低功耗写入\n• 统一标准存储器 = 单个空间内的程序 + 数据 + 存储\n• 抗辐射和非磁性\n;

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