MSP430FR596x, MSP430FR594x Mixed-Signal Microcontrollers

1.1 Features 1 (1) RTC is clocked by a 3.7-pF crystal. • Embedded Microcontroller – 16-Bit RISC Architecture up to 16‑MHz Clock – Wide Supply Voltage Range From 3.6 V Down to 1.8 V (Minimum Supply Voltage is Restricted by SVS Levels, See the SVS Specifications) • Optimized Ultra-Low-Power M

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Radiation Hardened Mixed-Signal Microcontroller

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Radiation Hardened Mixed-Signal Microcontroller

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耐辐射加固保障混合信号微控制器

MSP430™超低功耗 (ULP) FRAM 平台将独特的嵌入式 FRAM 和整体超低功耗系统架构组合在一起，从而使得创新人员能够以较少的能源预算增加性能。FRAM 技术以低很多的功耗将 SRAM 的速度、灵活性和耐久性与闪存的稳定性和可靠性组合在一起。\n\nMSP430FR5969-SP 的超低功耗架构可提供七种低功耗模式，这七种模式均经过优化，能够在低功耗的情况下对系统进行分布式遥测和维护。 \n\nMSP430FR5969-SP 的集成式混合信号 特性 使其非常适合用于下一代航天器的分布式遥测 应用 。对单粒子闩锁的强大抗干扰性和电离辐射总剂量使得该器件得以应用于多种空间和辐射环境中。 • 抗辐射加固 \n• 单粒子闩锁 (SEL) 在 125°C 下的抗扰度可达 72 MeV.cm2/mg\n• 48 引脚 VQFN 塑料封装\n• 延长了产品变更通知周期\n• 延长了产品生命周期\n• 嵌入式微控制器 \n• 宽电源电压范围（1.8V 至 3.6V）• \n• 优化的超低功率模式 \n• 待机（具有低功率低频内部时钟源 (VLO) 的 LPM3）：0.4µA（典型值）\n• 关断 (LPM4.5)：0.02µA（典型值）\n• 超低功耗铁电 RAM (FRAM) \n• 超低功耗写入\n• 统一标准存储器 = 单个空间内的程序 + 数据 + 存储\n• 抗辐射和非磁性\n;

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