MSP430FR5969-SP数据手册TI中文资料规格书

描述 Description

MSP430™超低功耗 (ULP) FRAM 平台将独特的嵌入式 FRAM 和整体超低功耗系统架构组合在一起，从而使得创新人员能够以较少的能源预算增加性能。FRAM 技术以低很多的功耗将 SRAM 的速度、灵活性和耐久性与闪存的稳定性和可靠性组合在一起。

MSP430FR5969-SP 的超低功耗架构可提供七种低功耗模式，这七种模式均经过优化，能够在低功耗的情况下对系统进行分布式遥测和维护。

MSP430FR5969-SP 的集成式混合信号 特性 使其非常适合用于下一代航天器的分布式遥测 应用 。对单粒子闩锁的强大抗干扰性和电离辐射总剂量使得该器件得以应用于多种空间和辐射环境中。

特性 Features

• 抗辐射加固
• 扩展工作温度（-55°C 至 105°C）
• 单粒子闩锁 (SEL) 在 125°C 下的抗扰度可达 72 MeV.cm2/mg
• 辐射批次验收测试结果为 50krad
• 48 引脚 VQFN 塑料封装
• 单受控基线
• 延长了产品变更通知周期
• 产品可追溯性
• 延长了产品生命周期

• 嵌入式微控制器
• 时钟频率高达 16MHz 的 16 位精简指令集计算机 (RISC) 架构
• 宽电源电压范围（1.8V 至 3.6V）
•

• 优化的超低功率模式
• 工作模式：大约 100µA/MHz
• 待机（具有低功率低频内部时钟源 (VLO) 的 LPM3）：0.4µA（典型值）
• 实时时钟 (LPM3.5)：0.25µA（典型值）
-
• 关断 (LPM4.5)：0.02µA（典型值）

• 超低功耗铁电 RAM (FRAM)
• 高达 64KB 的非易失性存储器
• 超低功耗写入
• 125ns 每个字的快速写入（4ms 内写入 64KB）
• 统一标准存储器 = 单个空间内的程序 + 数据 + 存储
• 1015 写入周期持久性
• 抗辐射和非磁性

• 智能数字外设
• 32 位硬件乘法器 (MPY)
• 3 通道内部 DMA
• 具有日历和报警功能的实时时钟 (RTC)
• 5 个 16 位定时器，每个定时器具有多达 7 个捕捉/比较寄存器
• 16 位循环冗余校验器 (CRC)

• 高性能模拟
• 16 通道模拟比较器
• 12 位模数转换器 (ADC) 具有内部基准和采样保持 和高达 16 个外部输入通道


• 多功能输入/输出端口
• 可每位、每字节和每字访问（成对访问）
• 所有端口上，从 LPM 中的边沿可选唤醒
• 所有端口上可编程上拉和下拉

• 代码安全性和加密
• 128 位或 256 位 AES 安全加密和解密协处理器（只适用于 MSP430FR59xx）
• 针对随机数生成算法的随机数种子

• 增强型串行通信
• eUSCI_A0 和 eUSCI_A1 支持
• 支持自动波特率侦测的通用异步收发器 (UART)
• IrDA 编码和解码
• SPI

• eUSCI_B0 支持
• 支持多个从器件寻址的 I2C
• SPI


• 硬件 UART

• 灵活时钟系统
• 具有 10 个可选厂家调整频率的定频数控振荡器 (DCO)
• 低功率低频内部时钟源 (VLO)
• 32kHz 晶振 (LFXT)
• 高频晶振 (HFXT)

• 开发工具和软件
• 自由的专业开发环境 具有 EnergyTrace++™技术
• 开发套件 (MSP-TS430RGZ48C)

• 要获得完整的模块说明，请参见《MSP430FR58xx，MSP430FR59xx，MSP430FR68xx 和 MSP430FR69xx 系列用户指南》

请参阅规格 部分中的 MSP430FR5969-SP EM 寿命降额表。
• 最小电源电压受 SVS 电平限制。
- 实时时钟 (RTC) 由 3.7pF 晶振计时。