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MSM56V16160K8T3K	文件：300 bytes Page：1 Pages	IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II	ROHM 罗姆	ROHM
MSM56V16160K8T3K	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：50-TSOP（0.400"，10.16mm 宽），44 引线；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：集成电路（IC）存储器描述：IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II	ROHM 罗姆	ROHM
MSM56V16160D	文件：341.37 Kbytes Page：30 Pages	2-Bank x 524,288-Word x 16-Bit SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM DESCRIPTION The MSM56V16160D/DH is a 2-bank x 524,288-word x 16-bit synchronous dynamic RAM, fabricated in Okis CMOS silicon-gate process technology. The device operates at 3.3 V. The inputs and outputs are LVTTL compatible. FEATURES • Silicon gate, quadruple polysilicon CMOS, 1-transistor memo 文件：341.37 Kbytes 页数：30 Pages	OKIOki Electric Cable Co.,Ltd 冲电线日本冲电线株式会社	OKI
MSM56V16160DH	文件：341.37 Kbytes Page：30 Pages	2-Bank x 524,288-Word x 16-Bit SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM DESCRIPTION The MSM56V16160D/DH is a 2-bank x 524,288-word x 16-bit synchronous dynamic RAM, fabricated in Okis CMOS silicon-gate process technology. The device operates at 3.3 V. The inputs and outputs are LVTTL compatible. FEATURES • Silicon gate, quadruple polysilicon CMOS, 1-transistor memo 文件：341.37 Kbytes 页数：30 Pages	OKIOki Electric Cable Co.,Ltd 冲电线日本冲电线株式会社	OKI
MSM56V16160F	文件：2.98676 Mbytes Page：31 Pages	2-Bank x 524,288 Word x 16 Bit SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM DESCRIPTION The MSM56V16160F is a 2-Bank x 524,288-word x 16 bit Synchronous dynamic RAM, fabricated in OKI’s CMOS silicon-gate process technology. The device operates at 3.3V. The inputs and outputs are LVTTL compatible. FEATURES • Silicon gate , quadruple polysilicon CMOS , 1-transistor memor 文件：2.98676 Mbytes 页数：31 Pages	OKIOki Electric Cable Co.,Ltd 冲电线日本冲电线株式会社	OKI

产品属性

产品编号：
MSM56V16160K8T3K
制造商：
Rohm Semiconductor
类别：
集成电路（IC） > 存储器
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
存储器类型：
易失
存储器格式：
DRAM
技术：
SDRAM
存储容量：
16Mb（512K x 16 x 2）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
70ns
电压 - 供电：
3V ~ 3.6V
工作温度：
0°C ~ 70°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
50-TSOP（0.400"，10.16mm 宽），44 引线
供应商器件封装：
50-TSOP
描述：
IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II

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更多MSM56V16160K供应商更新时间2026-1-27 8:24:00

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