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MSD50N03	文件：289.75 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Logic Level Enhancement Mode Power MOSFET 文件：289.75 Kbytes 页数：4 Pages	BWTECH	BWTECH
MSD50N03	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFETs	Bruckewell	Bruckewell
PHB50N03	文件：108.76 Kbytes Page：11 Pages	N-channel TrenchMOS transistor Logic level FET GENERAL DESCRIPTION N-channel enhancement mode logic level field-effect power transistor in a plastic envelope using ’trench’ technology. FEATURES • ’Trench’ technology • Very low on-state resistance • Fast switching • High thermal cycling performance • Low thermal resistance • Logic level 文件：108.76 Kbytes 页数：11 Pages	PHI PHI	PHI
PHB50N03T	文件：63.66 Kbytes Page：7 Pages	TrenchMOS transistor Standard level FET GENERAL DESCRIPTION N-channel enhancement mode standard level field-effect power transistor in a plastic envelope suitable for surface mounting using ’trench’ technology. The device features very low on-state resistance and has integral zener diodes giving ESD protection up to 2kV. It is intended 文件：63.66 Kbytes 页数：7 Pages	PHI PHI	PHI
PHD50N03LT	文件：108.76 Kbytes Page：11 Pages	N-channel TrenchMOS transistor Logic level FET GENERAL DESCRIPTION N-channel enhancement mode logic level field-effect power transistor in a plastic envelope using ’trench’ technology. FEATURES • ’Trench’ technology • Very low on-state resistance • Fast switching • High thermal cycling performance • Low thermal resistance • Logic level 文件：108.76 Kbytes 页数：11 Pages	PHI PHI	PHI

技术参数

Status：
Active
Description：
N Channel Power MOSFET
Channel Polarity：
N Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
30
VGS Max (V)：
20
VGS(th) Max (V)：
3
ID Max (A)：
50
PD Max (W)：
60
rDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ)：
12
rDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ)：
7.5
Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)：
13
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
23
Qgd Typ @ VGS = 4.5 V (nC)：
7.4
Qrr Typ (nC)：
12
Ciss Typ (pF)：
2020
Coss Typ (pF)：
275
Crss Typ (pF)：
160
Package Type：
TO-252

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