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NTB30N06L	文件：69.83 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET30Amps,60Volts,LogicLevel PowerMOSFET30Amps,60Volts,LogicLevel,N−ChannelTO−220andD2PAK Designedforlowvoltage,highspeedswitchingapplicationsinpowersupplies,convertersandpowermotorcontrolsandbridgecircuits. Features •Pb−FreePackagesareAvailable TypicalApplications •PowerSupplies •Co	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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NTD30N06	文件：259.94 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=35A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=31mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
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