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MSC035SMA170B	文件：382.79 Kbytes Page：2 Pages	SiC N-Channel MOSFET FEATURES ·LowCapacitancesandLowGateCharge ·FastandReliableBodyDiode ·SuperiorAvalancheRuggedness APPLICATIONS ·PVInverter ·Converter ·SMPS ·MotorDrives	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MSC035SMA170B	文件：300 bytes Page：1 Pages	SiC MOSFET; Silicon carbide (SiC) power MOSFET product line from Microsemi increases your performance over silicon MOSFET and silicon IGBT solutions while lowering your total cost of ownership for high-voltage applications.Silicon Carbide N-Channel Power MOSFET, 1700V, 35mΩ ROHS	MicrochipMicrochip Technology 微芯科技微芯科技股份有限公司	Microchip
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MSC035SMA170B

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SiC N-Channel MOSFET

FEATURES ·LowCapacitancesandLowGateCharge ·FastandReliableBodyDiode ·SuperiorAvalancheRuggedness APPLICATIONS ·PVInverter ·Converter ·SMPS ·MotorDrives

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

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SiC MOSFET;

Silicon carbide (SiC) power MOSFET product line from Microsemi increases your performance over silicon MOSFET and silicon IGBT solutions while lowering your total cost of ownership for high-voltage applications.Silicon Carbide N-Channel Power MOSFET, 1700V, 35mΩ ROHS

MicrochipMicrochip Technology

微芯科技微芯科技股份有限公司

Microchip

MSC035SMA170B4

文件：300 bytes

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SiC MOSFET;

MicrochipMicrochip Technology

微芯科技微芯科技股份有限公司

Microchip

技术参数

package_carrier：
Tube
package_name：
TO-247 (B) 3-lead
Reverse Breakdown Voltage (min)：
0
Reverse Breakdown Voltage (typ)：
0
Reverse Breakdown Voltage (max)：
1700
On-State Resistance (milliohms) (min)：
0
On-State Resistance (milliohms) (typ)：
35
On-State Resistance (milliohms) (max)：
45
Drain Current (dc) (min)：
0
Drain Current (dc) (typ)：
0
Drain Current (dc) (max)：
48
Junction Temperature (℃) (min)：
-55
Junction Temperature (℃) (typ)：
0
Junction Temperature (℃) (max)：
175

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市高捷芯城科技有限公司	MSC035SMA170B	MICROCHIP(美国微芯)	24+	TO-247	7793	支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。	询价
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