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MSC035SMA170B	文件：382.79 Kbytes Page：2 Pages	SiC N-Channel MOSFET FEATURES ·Low Capacitances and Low Gate Charge ·Fast and Reliable Body Diode ·Superior Avalanche Ruggedness APPLICATIONS ·PV Inverter ·Converter ·SMPS ·Motor Drives 文件：382.79 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
MSC035SMA170B4	文件：367.09 Kbytes Page：4 Pages	SiC N-Channel MOSFET FEATURES ·High Blocking Voltage with Low On-Resistance ·High Speed Switching with Low Capacitances ·Avalanche Ruggedness APPLICATIONS ·Solar Inverters ·Switch Mode Power Supplies ·DC-DC Converters ·Motor Drives 文件：367.09 Kbytes 页数：4 Pages	ISC 无锡固电	ISC
MSC035SMA170B	文件：300 bytes Page：1 Pages	SiC MOSFET Silicon carbide (SiC) power MOSFET product line from Microsemi increases your performance over silicon MOSFET and silicon IGBT solutions while lowering your total cost of ownership for high-voltage applications.Silicon Carbide N-Channel Power MOSFET, 1700V, 35mΩ ROHS	Microchip 微芯科技	Microchip
MSC035SMA170B4	文件：300 bytes Page：1 Pages	SiC MOSFET Silicon carbide (SiC) power MOSFET product line from Microsemi increases your performance over silicon MOSFET and silicon IGBT solutions while lowering your total cost of ownership for high-voltage applications.Silicon Carbide N-Channel Power MOSFET, 1700V ROHS	Microchip 微芯科技	Microchip

技术参数

package_carrier：
Tube
package_name：
TO-247 (B) 3-lead
Reverse Breakdown Voltage (min)：
0
Reverse Breakdown Voltage (typ)：
0
Reverse Breakdown Voltage (max)：
1700
On-State Resistance (milliohms) (min)：
0
On-State Resistance (milliohms) (typ)：
35
On-State Resistance (milliohms) (max)：
45
Drain Current (dc) (min)：
0
Drain Current (dc) (typ)：
0
Drain Current (dc) (max)：
48
Junction Temperature (℃) (min)：
-55
Junction Temperature (℃) (typ)：
0
Junction Temperature (℃) (max)：
175

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市高捷芯城科技有限公司	MSC035SMA170B	MICROCHIP(美国微芯)	24+	TO-247	7793	支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。	询价
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更多MSC035SMA170B供应商更新时间2025-12-10 16:12:00

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