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MS2200	文件：201.16 Kbytes Page：6 Pages	RF AND MICROWAVE TRANSISTORS UHF PULSED APPLICATIONS DESCRIPTION: The MS2200 is a hermetically sealed, gold metallized silicon NPN pulse power transistor mounted in a common base balanced configuration. The MS2200 is designed for applications requiring high peak power and low duty cycles within the frequency range of 400 – 500 MHz. Features • 500 文件：201.16 Kbytes 页数：6 Pages	ADPOW	ADPOW
MS2200	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans RF BJT NPN 65V 43.2A 5-Pin Case M-102	NJS 新泽西半导体	NJS
MS2200	文件：300 bytes Page：1 Pages	RF/Microwave Si BJT Power Devices & Pallets	Microchip 微芯科技	Microchip
MS2200	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：M102；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 射频描述：RF TRANS NPN 65V 500MHZ M102	MICROSEMI 美高森美	MICROSEMI

产品属性

产品编号：
MS2200
制造商：
Microsemi Corporation
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
包装：
散装
晶体管类型：
NPN
电压 - 集射极击穿（最大值）：
65V
频率 - 跃迁：
400MHz ~ 500MHz
增益：
9.7dB
功率 - 最大值：
1167W
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
20 @ 5A，5V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
43.2A
工作温度：
200°C（TJ）
安装类型：
底座安装
封装/外壳：
M102
供应商器件封装：
M102
描述：
RF TRANS NPN 65V 500MHZ M102

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