MS2200分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频规格书PDF中文资料
MS2200规格书详情
DESCRIPTION:
The MS2200 is a hermetically sealed, gold metallized silicon NPN pulse power transistor mounted in a common base balanced configuration. The MS2200 is designed for applications requiring high peak power and low duty cycles within the frequency range of 400 – 500 MHz.
特性 Features
• 500 Watts @ 250 µSec Pulse Width, 10 Duty Cycle
• Refractory Gold Metallization
• Emitter Ballasting And Low Resistance For Reliability and Ruggedness
• Infinite VSWR Capability At Specified Operating Conditions
• Input Matched, Common Base Configuration
• Balanced Configuration
产品属性
- 产品编号：
MS2200
- 制造商：
Microsemi Corporation
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
- 包装：
散装
- 晶体管类型：
NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
65V
- 频率 - 跃迁：
400MHz ~ 500MHz
- 增益：
9.7dB
- 功率 - 最大值：
1167W
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
20 @ 5A，5V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
43.2A
- 工作温度：
200°C（TJ）
- 安装类型：
底座安装
- 封装/外壳：
M102
- 供应商器件封装：
M102
- 描述：
RF TRANS NPN 65V 500MHZ M102
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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25+ |
5 |
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