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MS2200数据手册分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频规格书PDF

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厂商型号

MS2200

参数属性

MS2200 封装/外壳为M102;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频;产品描述:RF TRANS NPN 65V 500MHZ M102

功能描述

Trans RF BJT NPN 65V 43.2A 5-Pin Case M-102

封装外壳

M102

制造商

NJS New Jersey Semiconductor

数据手册

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更新时间

2025-8-7 20:00:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :MS2200

  • 生产厂家

    :NJS

  • Maximum Emitter Base Voltage

    :3.5V

  • Maximum DC Collector Current Range

    :8 to 100A

  • Maximum DC Collector Current

    :43.2A

  • Maximum Collector Emitter Voltage Range

    :60 to 70V

  • Maximum Collector Emitter Voltage

    :65V

  • Maximum Collector Base Voltage

    :65V

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