10 AMP SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS

10 Amp Schottky Barrier Rectifiers ● Schottky barrier rectifier ● Guard ring protection ● Low power loss, high efficiency ● VRRM 30 to 40 Volts ● Reverse energy tested

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MICROSEMI

美高森美

10 AMP SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER

10 Amp Schottky Barrier Rectifiers ● Schottky barrier rectifer ● Guard ring protection ● Low power loss, high efficiency ● VRRM 30 to 40 Volts ● Reverse energy tested)

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MICROSEMI

美高森美

RF & MICROWAVE TRANSISTORS VHF MOBILE APPLICATIONS

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ADPOW

激光测距用高精度时间测量(TDC)电路

MS1003 是一款高精度时间测量(TDC)电路，对比 MS1002 具有更高的精度和更小的封装，适合于高精度小封装的应用领域。\nMS1003 具有双通道、多脉冲的采样能力、高速 SPI 通讯、多种测量模式，适合于激光雷达和激光测距。 • 双通道单精度模式 46ps\n• 单通道双精度模式 23ps\n• 非校准单精度测量范围 3.5ns(0ns)至 16μs\n• 非校准双精度测量范围 3.5ns(0ns)至 16μs\n• 校准单精度测量范围 3.5ns(0ns)至 4μs\n• 校准双精度测量范围 3.5ns(0ns)至 2μs\n• 10ns 最小脉冲间隔，双通道最多可接收 20 个脉冲\n• 4 线 SPI 通信接口\n• 工作电压 2.5V 至 3.6V\n• 工作温度-40°C 至+100°C\n• QFN20 封装;

Relmon

瑞盟科技

RF/Microwave Si BJT Power Devices & Pallets

Microchip

微芯科技

Package：M111；包装：托盘 类别：分立半导体产品 晶体管 - 双极（BJT）- 射频 描述：RF TRANS NPN 18V 175MHZ M111

MICROSEMI

美高森美

Control IC

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SHINDENGEN

Quasi-Resonant Power Supply ICs　SMD

Shindengen

新电元