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MS1003分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频规格书PDF中文资料

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厂商型号

MS1003

参数属性

MS1003 封装/外壳为M111;包装为托盘;类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频;产品描述:RF TRANS NPN 18V 175MHZ M111

功能描述

10 AMP SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS
RF TRANS NPN 18V 175MHZ M111

封装外壳

M111

文件大小

131.97 Kbytes

页面数量

2

生产厂商

MICROSEMI

中文名称

美高森美

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数据手册

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更新时间

2026-2-2 20:00:00

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MS1003规格书详情

MS1003属于分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频。由美高森美半导体公司制造生产的MS1003晶体管 - 双极(BJT)- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件,用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP,特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。

10 Amp Schottky Barrier Rectifiers

● Schottky barrier rectifier

● Guard ring protection

● Low power loss, high efficiency

● VRRM 30 to 40 Volts

● Reverse energy tested

产品属性

更多
  • 产品编号:

    MS1003

  • 制造商:

    Microsemi Corporation

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频

  • 包装:

    托盘

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    18V

  • 频率 - 跃迁:

    136MHz ~ 175MHz

  • 增益:

    6dB

  • 功率 - 最大值:

    270W

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    10 @ 5A,5V

  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):

    20A

  • 工作温度:

    200°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    M111

  • 供应商器件封装:

    M111

  • 描述:

    RF TRANS NPN 18V 175MHZ M111

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