MS1003分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
MS1003 |
| 参数属性 | MS1003 封装/外壳为M111；包装为托盘；类别为分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频；产品描述：RF TRANS NPN 18V 175MHZ M111 |
| 功能描述 | 10 AMP SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER |
| 封装外壳 | M111 |
| 文件大小 |
119.55 Kbytes |
| 页面数量 |
2 页 |
| 生产厂商 | MICROSEMI |
| 中文名称 | 美高森美 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2026-1-24 20:06:00 |
| 人工找货 | MS1003价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
MS1003规格书详情
MS1003属于分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频。由美高森美半导体公司制造生产的MS1003晶体管 - 双极（BJT）- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件，用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP，特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。
10 Amp Schottky Barrier Rectifiers
● Schottky barrier rectifer
● Guard ring protection
● Low power loss, high efficiency
● VRRM 30 to 40 Volts
● Reverse energy tested)
产品属性
更多- 产品编号：
MS1003
- 制造商：
Microsemi Corporation
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
- 包装：
托盘
- 晶体管类型：
NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
18V
- 频率 - 跃迁：
136MHz ~ 175MHz
- 增益：
6dB
- 功率 - 最大值：
270W
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
10 @ 5A，5V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
20A
- 工作温度：
200°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
M111
- 供应商器件封装：
M111
- 描述：
RF TRANS NPN 18V 175MHZ M111
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ision |
20+ |
SOD-123FH |
36800 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
询价 | ||
MICROSEMI/美高森美 |
22+ |
SOP-8 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
询价 | ||
MICROSEMI/美高森美 |
2026+ |
SOP-8 |
54658 |
百分百原装现货 实单必成 |
询价 | ||
JINGDAO/晶导微 |
23+ |
35 |
69820 |
终端可以免费供样,支持BOM配单! |
询价 | ||
DIP-16 |
23+ |
NA |
15659 |
振宏微专业只做正品,假一罚百! |
询价 | ||
ms |
22+ |
SOP |
20000 |
公司只做原装 品质保障 |
询价 | ||
APT |
23+ |
TO-59 |
8510 |
原装正品代理渠道价格优势 |
询价 | ||
MICROSEMI/美高森美 |
25+ |
SOP-8 |
1000 |
全新原装正品支持含税 |
询价 | ||
APT |
24+ |
SMD |
1 |
询价 | |||
ision |
19+ |
SOD-123FH |
200000 |
询价 |
