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MRFG35005ANT1数据手册恩XP中文资料规格书

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厂商型号

MRFG35005ANT1

功能描述

3.5 GHz,4.5 W,12 V功率FET GaAs pHEMT

制造商

恩XP 恩XP

中文名称

N智浦

数据手册

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更新时间

2025-8-7 17:04:00

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MRFG35005ANT1规格书详情

描述 Description

MRFG35005ANT1专为500至5000 MHz频率范围的WLL/MMDS/BWA或UMTS驱动器应用而设计。该器件未匹配,适用于AB类用户端设备(CPE)应用。

特性 Features

典型单载波W-CDMA性能:VDD = 12 V,IDQ = 80 mA,平均输出功率 = 450 mW,3550 MHz,信道带宽 = 3.84 MHz,输入信号PAR = 8.5 dB @ 0.01% CCDF。 功率增益:11 dB 漏极效率:26% 5 MHz偏移时的ACPR:3.84 MHz信道带宽时为–44 dBc
3550 MHz连续波时,4.5 W P1dB
卓越的相位线性和组时延特征
高增益、高效率和高线性
符合RoHS规范
采用盘卷包装。T1后缀 = 1000个,12 mm卷带宽度,7英寸卷盘。

技术参数

  • 型号:

    MRFG35005ANT1

  • 功能描述:

    射频GaAs晶体管 3.5GHZ 4.5W GAAS PLD1.5

  • RoHS:

  • 制造商:

    TriQuint Semiconductor

  • 技术类型:

    pHEMT

  • 频率:

    500 MHz to 3 GHz

  • 增益:

    10 dB

  • 噪声系数:

    正向跨导

  • gFS(最大值/最小值):

    4 S 漏源电压

  • 闸/源击穿电压:

    - 8 V

  • 漏极连续电流:

    3 A

  • 最大工作温度:

    + 150 C

  • 功率耗散:

    10 W

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