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MRFG35002N6T1中文资料3.5 GHz, 1.5 W, 6 V Power FET GaAs PHEMT数据手册恩XP规格书
MRFG35002N6T1规格书详情
描述 Description
OverviewMRFG35002N6T1 removed from active portfolio. Possible Replacement Part: MRFG35002N6AT1.
特性 Features
•Typical Single–Carrier W–CDMA Performance: VDD = 6 Volts, IDQ = 65 mA, Pout = 158.5 mWatts Avg., 3550 MHz, Channel Bandwidth = 3.84 MHz, PAR = 8.5 dB @ 0.01% Probability on CCDF.
Power Gain: 10 dB
\tDrain Efficiency: 27%
\tACPR @ 5 MHz Offset: –41 dBc in 3.84 MHz Channel Bandwidth
•1.5 Watts P1dB @ 3550 MHz, CW
•Excellent Phase Linearity and Group Delay Characteristics
•High Gain, High Efficiency and High Linearity
•RoHS Compliant.
•In Tape and Reel. T1 Suffix = 1000 Units per 12 mm, 7 inch Reel.
技术参数
- 型号：
MRFG35002N6T1
- 功能描述：
TRANSISTOR RF FET 3.5GHZ PLD-1.5
- RoHS：
否
- 类别：
分离式半导体产品 >> RF FET
- 系列：
-
- 产品目录绘图：
MOSFET SOT-23-3 Pkg
- 标准包装：
3,000
- 晶体管类型：
N 通道 JFET
- 频率：
-
- 增益：
- 电压 -
- 测试：
-
- 额定电流：
30mA
- 噪音数据：
- 电流 -
- 测试：
- 功率 -
- 输出：
- 电压 -
- 额定：
25V
- 封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商设备封装：
SOT-23-3（TO-236）
- 包装：
带卷(TR)
- 产品目录页面：
1558(CN2011-ZH PDF)
- 其它名称：
MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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