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MRFG35003MT1中文资料3.5 GHz, 3 W, 12 V Power FET GaAs PHEMT数据手册恩XP规格书
MRFG35003MT1规格书详情
描述 Description
OverviewReplaced by MRFG35003NT1. There are no form, fit or function changes with this part replacement. N suffix added to part number to indicate transition to lead-free terminations. The MRFG35003MT1 is designed for WLL/MMDS/BWA or UMTS driver applications with frequencies from 1.8 to 3.6 GHz. Device is unmatched and is suitable for use in Class AB linear base station applications.
特性 Features
•Typical W–CDMA Performance: –42 dBc ACPR, 3.55 GHz, 12 Volts,
IDQ = 55 mA, 5 MHz Offset/3.84 MHz BW, 64 DPCH (8.5 dB P/A @ 0.01% Probability)
Output Power: 300 mWatt
\tPower Gain: 11.5 dB
\tEfficiency: 25%
•3 Watts P1dB @ 3.55 GHz
•Excellent Phase Linearity and Group Delay Characteristics
•High Gain, High Efficiency and High Linearity
•In Tape and Reel. T1 Suffix = 1000 Units per 12 mm, 7 inch Reel.
技术参数
- 型号：
MRFG35003MT1
- 功能描述：
MOSFET RF 3.5GHZ 3W 12V 1.5-PLD
- RoHS：
否
- 类别：
分离式半导体产品 >> RF FET
- 系列：
-
- 产品目录绘图：
MOSFET SOT-23-3 Pkg
- 标准包装：
3,000
- 晶体管类型：
N 通道 JFET
- 频率：
-
- 增益：
- 电压 -
- 测试：
-
- 额定电流：
30mA
- 噪音数据：
- 电流 -
- 测试：
- 功率 -
- 输出：
- 电压 -
- 额定：
25V
- 封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商设备封装：
SOT-23-3（TO-236）
- 包装：
带卷(TR)
- 产品目录页面：
1558(CN2011-ZH PDF)
- 其它名称：
MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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