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MRFG35003N6A数据手册恩XP中文资料规格书

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厂商型号

MRFG35003N6A

功能描述

GaAs pHEMT Power FET, 3.5 GHz, 3 W , 6 V

制造商

恩XP 恩XP

中文名称

N智浦

数据手册

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更新时间

2025-8-10 9:11:00

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MRFG35003N6A规格书详情

描述 Description

MRFG35003N6AT1 is Not Recommended for New Design.
The MRFG35003N6AT1 is designed for WLL/MMDS/BWA or UMTS driver applications with frequencies from 500 to 5000 MHz. Device is unmatched and is suitable for use in Class AB Customer Premise Equipment (CPE) applications.

特性 Features

• Typical Single-Carrier W-CDMA Performance: VDD = 6 Volts, IDQ =180 mA, Pout = 450 mWatts Avg., 3550 MHz, Channel Bandwidth = 3.84 MHz, PAR = 8.5 dB @ 0.01% Probability on CCDF.Power Gain: 10 dBDrain Efficiency: 27%ACPR @ 5 MHz Offset: –42.5 dBc in 3.84 MHz Channel Bandwidth
• 3 Watts P1dB @ 3550 MHz, CW
• Excellent Phase Linearity and Group Delay Characteristics
• High Gain, High Efficiency and High Linearity
• RoHS Compliant
• In Tape and Reel. T1 Suffix = 1000 Units per 12 mm, 7 inch Reel.

技术参数

  • 型号:

    MRFG35003N6A

  • 功能描述:

    射频GaAs晶体管 3.5GHZ 3W 6V GAAS PLD1.5

  • RoHS:

  • 制造商:

    TriQuint Semiconductor

  • 技术类型:

    pHEMT

  • 频率:

    500 MHz to 3 GHz

  • 增益:

    10 dB

  • 噪声系数:

    正向跨导

  • gFS(最大值/最小值):

    4 S 漏源电压

  • 闸/源击穿电压:

    - 8 V

  • 漏极连续电流:

    3 A

  • 最大工作温度:

    + 150 C

  • 功率耗散:

    10 W

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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