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MRF7S35120HSR3中文资料3100-3500 MHz, 120 W峰值, 32 V脉冲射频功率LDMOS数据手册恩XP规格书
MRF7S35120HSR3规格书详情
描述 Description
MRF7S35120HSR3适用于脉冲宽带应用,运行频率为3100至3500MHz。
特性 Features
典型脉冲性能:VDD = 32 V,IDQ = 150 mA,输出功率 = 120 W峰值(24 W平均值),脉冲信号,f = 3500 MHz,脉冲宽度 = 100 µsec,占空比 = 20% 功率增益:12 dB漏极效率:40% 上升时间:6 ns下降时间:6 ns
典型WiMAX性能:VDD = 32 V,IDQ = 900 mA,平均输出功率 = 18 W,f = 3500 MHz,802.16d,64 QAM 3/4,4突发脉冲,7 MHz信道带宽,输入信号PAR = 9.5 dB @ 0.01% CCDF。 功率增益:13 dB漏极效率:16%RCE:–33 dB (EVM — 2.2% rms)
在32 Vdc,3300 MHz,120 W峰值功率时,能承受10:1 VSWR
在32 Vdc时,能承受3 dB过驱
提供串联等效大信号阻抗参数
内部匹配,简便易用
工作电压最高可达32 VDD
集成的ESD保护
增大负栅源电压范围,改善C类放大器运行
符合RoHS规范
采用盘卷包装。R3后缀 = 250个,56 mm卷带宽度,13英寸卷盘
技术参数
- 型号:
MRF7S35120HSR3
- 功能描述:
射频MOSFET电源晶体管 HV7 120W PULSED
- RoHS:
否
- 制造商:
Freescale Semiconductor
- 配置:
Single
- 频率:
1800 MHz to 2000 MHz
- 增益:
27 dB
- 输出功率:
100 W
- 封装/箱体:
NI-780-4
- 封装:
Tray
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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MOT |
22+ |
高频管 |
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