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MRF7S35120HSR3中文资料3100-3500 MHz, 120 W峰值, 32 V脉冲射频功率LDMOS数据手册恩XP规格书

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厂商型号

MRF7S35120HSR3

功能描述

3100-3500 MHz, 120 W峰值, 32 V脉冲射频功率LDMOS

制造商

恩XP

中文名称

N智浦

数据手册

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更新时间

2025-9-26 8:48:00

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MRF7S35120HSR3规格书详情

描述 Description

MRF7S35120HSR3适用于脉冲宽带应用,运行频率为3100至3500MHz。

特性 Features

典型脉冲性能:VDD = 32 V,IDQ = 150 mA,输出功率 = 120 W峰值(24 W平均值),脉冲信号,f = 3500 MHz,脉冲宽度 = 100 µsec,占空比 = 20% 功率增益:12 dB漏极效率:40% 上升时间:6 ns下降时间:6 ns
典型WiMAX性能:VDD = 32 V,IDQ = 900 mA,平均输出功率 = 18 W,f = 3500 MHz,802.16d,64 QAM 3/4,4突发脉冲,7 MHz信道带宽,输入信号PAR = 9.5 dB @ 0.01% CCDF。 功率增益:13 dB漏极效率:16%RCE:–33 dB (EVM — 2.2% rms)
在32 Vdc,3300 MHz,120 W峰值功率时,能承受10:1 VSWR
在32 Vdc时,能承受3 dB过驱
提供串联等效大信号阻抗参数
内部匹配,简便易用
工作电压最高可达32 VDD
集成的ESD保护
增大负栅源电压范围,改善C类放大器运行
符合RoHS规范
采用盘卷包装。R3后缀 = 250个,56 mm卷带宽度,13英寸卷盘

技术参数

  • 型号:

    MRF7S35120HSR3

  • 功能描述:

    射频MOSFET电源晶体管 HV7 120W PULSED

  • RoHS:

  • 制造商:

    Freescale Semiconductor

  • 配置:

    Single

  • 频率:

    1800 MHz to 2000 MHz

  • 增益:

    27 dB

  • 输出功率:

    100 W

  • 封装/箱体:

    NI-780-4

  • 封装:

    Tray

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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