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MRF7S18170HR3	文件：1.01021 Mbytes Page：18 Pages	RF Power Field Effect Transistors N--ChannelEnhancement--ModeLateralMOSFETs DesignedforCDMAbasestationapplicationswithfrequenciesfrom1805to 1880MHz.SuitableforCDMAandmulticarrieramplifierapplications.Tobe usedinClassABandClassCforPCN--PCS/cellularradioandWLL applications. •TypicalSingle--Ca	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
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MRF7S18170HR3	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：SOT-957A 类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 射频描述：FET RF 65V 1.81GHZ NI-880	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
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MRF7S18170H	文件：1.01021 Mbytes Page：18 Pages	RFPowerFieldEffectTransistors N--ChannelEnhancement--ModeLateralMOSFETs DesignedforCDMAbasestationapplicationswithfrequenciesfrom1805to 1880MHz.SuitableforCDMAandmulticarrieramplifierapplications.Tobe usedinClassABandClassCforPCN--PCS/cellularradioandWLL applications. •TypicalSingle--Ca	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp

产品属性

产品编号：
MRF7S18170HR3
制造商：
NXP USA Inc.
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
LDMOS
频率：
1.81GHz
增益：
17.5dB
功率 - 输出：
50W
封装/外壳：
SOT-957A
供应商器件封装：
NI-880H-2L
描述：
FET RF 65V 1.81GHZ NI-880

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更多MRF7S18170HR供应商更新时间2024-6-21 16:03:00

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