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MRF7S18170HR3	文件：1.01021 Mbytes Page：18 Pages	RF Power Field Effect Transistors N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFETs Designed for CDMA base station applications with frequencies from 1805 to 1880 MHz. Suitable for CDMA and multicarrier amplifier applications. To be used in Class AB and Class C for PCN--PCS/cellular radio and WLL applications. • Typical Single--Ca 文件：1.01021 Mbytes 页数：18 Pages	恩XP	恩XP
MRF7S18170HR3	文件：478.5 Kbytes Page：15 Pages	RF Power Field Effect Transistors (N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs) 文件：478.5 Kbytes 页数：15 Pages	FREESCALEFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体	FREESCALE
MRF7S19120NR1	文件：0 bytes Page：0 Pages	TO-272	FREESCALEFreescale Semiconductor, Inc 飞思卡尔飞思卡尔半导体上传：深圳庞田科技有限公司	FREESCALE
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