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MRF5S9100M数据手册恩XP中文资料规格书

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厂商型号

MRF5S9100M

功能描述

880 MHz, 20 W AVG., 26 V Single N-CDMA Lateral N-Channel RF Power MOSFETs

制造商

恩XP 恩XP

中文名称

N智浦

数据手册

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更新时间

2025-8-8 15:45:00

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MRF5S9100M规格书详情

描述 Description

OverviewReplaced by MRF5S9100NR1(NBR1). There are no form, fit or function changes with this part replacement. The MRF5S9100MR1 and MRF5S9100MBR1 are designed for broadband commercial and industrial applications with frequencies up to 1000 MHz. The high gain and broadband performance of these devices make them ideal for large–signal, common–source amplifier applications in 26 volt base station equipment.

特性 Features


•Typical Single–Carrier N–CDMA Performance @ 880 MHz, VDD = 26 Volts,
IDQ = 950mA, Pout = 20 Watts Avg., IS–95 CDMA (Pilot, Sync, Paging,
Traffic Codes 8 Through 13) Channel Bandwidth = 1.2288 MHz. PAR = 9.8 dB @ 0.01% Probability on CCDF.
Power Gain: 19.5 dB
\tDrain Efficiency: 28%
\tACPR @ 750 kHz Offset: –46.8 dBc @ 30 kHz Bandwidth

•Capable of Handling 10:1 VSWR, @ 26 Vdc, 880 MHz, 100 Watts CW Output Power

•Characterized with Series Equivalent Large–Signal Impedance Parameters

•Internally Matched for Ease of Use

•Qualified Up to a Maximum of 32 VDD Operation

•Integrated ESD Protection

•200°C Capable Plastic Package

•In Tape and Reel. R1 Suffix = 500 Units per 44 mm, 13 inch Reel.

技术参数

  • 型号:

    MRF5S9100M

  • 功能描述:

    MOSFET RF N-CH 26V 20W TO-270-4

  • RoHS:

  • 类别:

    分离式半导体产品 >> RF FET

  • 系列:

    -

  • 产品目录绘图:

    MOSFET SOT-23-3 Pkg

  • 标准包装:

    3,000

  • 晶体管类型:

    N 通道 JFET

  • 频率:

    -

  • 增益:

    - 电压 -

  • 测试:

    -

  • 额定电流:

    30mA

  • 噪音数据:

    - 电流 -

  • 测试:

    - 功率 -

  • 输出:

    - 电压 -

  • 额定:

    25V

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商设备封装:

    SOT-23-3(TO-236)

  • 包装:

    带卷(TR)

  • 产品目录页面:

    1558(CN2011-ZH PDF)

  • 其它名称:

    MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR

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