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MRF21120R6数据手册恩XP中文资料规格书

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厂商型号

MRF21120R6

功能描述

2110-2170 MHz, 120 W, 28 V, Lateral N-Channel RF Power MOSFET

制造商

恩XP 恩XP

中文名称

N智浦

数据手册

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更新时间

2025-8-7 18:25:00

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MRF21120R6规格书详情

描述 Description

Overview MRF21120R6 removed from active portfolio. View replacement parts via Part Number Search.

特性 Features


•W–CDMA Performance @ –45 dBc, 5 MHz Offset, 15 DTCH, 1 Perch
Output Power: 14 Watts (Avg.)
\tPower Gain: 11.5 dB
\tEfficiency: 16%

•Capable of Handling 10:1 VSWR, @ 28 Vdc, 2140 MHz, 120 Watts CW Output Power

•Internally Matched for Ease of Use

•High Gain, High Efficiency, and High Linearity

•Integrated ESD Protection

•Designed for Maximum Gain and Insertion Phase Flatness

•Excellent Thermal Stability

•Characterized with Series Equivalent Large–Signal Impedance Parameters

•RoHS Compliant

•In Tape and Reel. R6 suffix = 150 Units per 56 mm, 13 inch Reel.

技术参数

  • 型号:

    MRF21120R6

  • 制造商:

    FREESCALE

  • 制造商全称:

    Freescale Semiconductor, Inc

  • 功能描述:

    RF Power Field Effect Transistor

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