MRF21085L数据手册恩XP中文资料规格书
MRF21085L规格书详情
描述 Description
Overview MRF21085LR3, MRF21085LSR3 removed from active portfolio. View replacement parts via Part Number Search.
特性 Features
•Typical 2–Carrier W–CDMA Performance: VDD = 28 Volts,
IDQ = 1000 mA, Pout = 19 Watts Avg., Full Frequency Band, Channel
\tBandwidth = 3.84 MHz, PAR = 8.5 dB @ 0.01% Probability on CCDF.
Power Gain: 13.6 dB
\tDrain Efficiency: 23%
\tIM3 @ 10 MHz Offset: –37.5 dBc in 3.84 MHz Channel Bandwidth
\tACPR @ 5 MHz Offset: –41 dBc in 3.84 MHz Channel Bandwidth
•Capable of Handling 5:1 VSWR, @ 28 Vdc, 2140 MHz, 90 Watts CW Output Power
•Internally Matched for Ease of Use
•High Gain, High Efficiency and High Linearity
•Integrated ESD Protection
•Designed for Maximum Gain and Insertion Phase Flatness
•Excellent Thermal Stability
•Characterized with Series Equivalent Large–Signal Impedance Parameters
•Available with Low Gold Plating Thickness on Leads. L Suffix Indicates
40µ″ Nominal.
•RoHS Compliant
•In Tape and Reel. R3 suffix = 250 Units per 56 mm, 13 inch Reel.
技术参数
- 型号：
MRF21085L
- 功能描述：
IC MOSFET RF N-CHAN NI-780S
- RoHS：
是
- 类别：
分离式半导体产品 >> RF FET
- 系列：
-
- 产品目录绘图：
MOSFET SOT-23-3 Pkg
- 标准包装：
3,000
- 晶体管类型：
N 通道 JFET
- 频率：
-
- 增益：
- 电压 -
- 测试：
-
- 额定电流：
30mA
- 噪音数据：
- 电流 -
- 测试：
- 功率 -
- 输出：
- 电压 -
- 额定：
25V
- 封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商设备封装：
SOT-23-3（TO-236）
- 包装：
带卷(TR)
- 产品目录页面：
1558(CN2011-ZH PDF)
- 其它名称：
MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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MODL |
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