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MRF182R1中文资料1.0 GHz, 30 W, 28 V Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET数据手册恩XP规格书

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厂商型号

MRF182R1

功能描述

1.0 GHz, 30 W, 28 V Lateral N-Channel Broadband RF Power MOSFET

制造商

恩XP

中文名称

N智浦

数据手册

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更新时间

2025-9-23 20:00:00

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MRF182R1规格书详情

描述 Description

Overview \"MRF182R1\" removed from active portfolio. Possible Replacement Part: \"MRF9030LR1\".

特性 Features


•High Gain, Rugged Device
•Broadband Performance from HF to 1 GHz\t
•Bottom Side Source Eliminates DC Isolators, Reducing Common Mode Inductances
•Available only in Tape and Reel. R1 Suffix = 500 Units per 32 mm, 13 Inch Reel.

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