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MPS-6003LP	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：盒类别：测试与计量设备 - 电源（测试，工作台）描述：DC POWER SUPPLY 0-60V 180W	MATRIX TECHNOLOGY INC. MATRIX TECHNOLOGY INC.	MATRIX TECHNOLOGY INC.
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MVP-6003	文件：216.82 Kbytes Page：2 Pages	ExpandableFanlessEmbeddedComputer	AdlinkAdlink Technology Inc. 凌华科技凌华科技股份有限公司	Adlink
N6003NZ	文件：280.47 Kbytes Page：8 Pages	N-channelMOSFET600V,2A,4.4Ω Description TheN6003NZisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features •Lowon-stateresistance RDS(on)=4.4ΩMAX.(VGS=10V,ID=1.0A) •Lowinputcapacitance Ciss=400pFTYP.(VDS=10V,VGS=0V) •Highcurrent ID(DC)=±2.0	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NCE6003	文件：639.44 Kbytes Page：7 Pages	NCEN-ChannelEnhancementModePowerMOSFET Description TheNCE6003usesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON),lowgatecharge.Thisdeviceissuitablefor useasaBatteryprotectionorinotherswitchingapplication.GeneralFeatures ●VDS=60V,ID=3A RDS(ON)	NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 无锡新洁能股份无锡新洁能股份有限公司	NCEPOWER
NCE6003	文件：503.01 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel60-V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Available •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •100UISTested APPLICATIONS •BatterySwitch •DC/DCConverter	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
NCE6003M	文件：994.89 Kbytes Page：6 Pages	LCEN-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司	LEIDITECH
NCE6003M	文件：257.26 Kbytes Page：7 Pages	NCEN-ChannelEnhancementModePowerMOSFET Description TheNCE6003Musesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithgate voltagesaslowas2.5V.Thisdeviceissuitableforuseasa Batteryprotectionorinotherswitchingapplication. GeneralFeature ●VDS=60V,ID=3.0A RDS(ON)	NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 无锡新洁能股份无锡新洁能股份有限公司	NCEPOWER
NCE6003X	文件：642.2 Kbytes Page：7 Pages	NCEN-ChannelEnhancementModePowerMOSFET Description TheNCE6003Xusesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON),lowgatecharge.Thisdeviceissuitablefor useasaBatteryprotectionorinotherswitchingapplication.GeneralFeatures ●VDS=60V,ID=3A RDS(ON)	NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 无锡新洁能股份无锡新洁能股份有限公司	NCEPOWER
NCE6003XM	文件：675.83 Kbytes Page：7 Pages	NCEN-ChannelEnhancementModePowerMOSFET Description TheNCE6003XMusesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON),lowgatecharge.Thisdeviceissuitablefor useasaBatteryprotectionorinotherswitchingapplication.GeneralFeatures ●VDS=60V,ID=3A RDS(ON)	NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 无锡新洁能股份无锡新洁能股份有限公司	NCEPOWER
NCE6003XY	文件：711.16 Kbytes Page：7 Pages	NCEN-ChannelEnhancementModePowerMOSFET Description TheNCE6003XYusesadvancedtrenchtechnologytoprovide excellentRDS(ON),lowgatecharge.Thisdeviceissuitablefor useasaBatteryprotectionorinotherswitchingapplication.GeneralFeatures ●VDS=60V,ID=3A RDS(ON)	NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 无锡新洁能股份无锡新洁能股份有限公司	NCEPOWER
NCE6003Y	文件：293.66 Kbytes Page：7 Pages	NCEN-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	NCEPOWERWuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd 无锡新洁能股份无锡新洁能股份有限公司	NCEPOWER
NCE6003Y	文件：503.1 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel60-V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Available •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •100UISTested APPLICATIONS •BatterySwitch •DC/DCConverter	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
NFT6003	文件：3.15583 Mbytes Page：8 Pages	AdvancedProcessTechnology Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provi	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
NMC-6003	文件：612.67 Kbytes Page：1 Pages	2Ports100GbEQSFP28NetworkMezzanineCard Features SinglehostNICsolutionbyusingIntelE810-CAM2 Overlaynetworkssupport:VxLAN&NVGRE CPUoffload:TSO,LRO,GRO Jumboframesupport(9.6KB) CompatiblewithFWA-5070,FWA-6070Platform	ADVANTECHAdvantech Co., Ltd. 研华科技研华科技（中国）有限公司	ADVANTECH
NMC-6003L	文件：580.17 Kbytes Page：1 Pages	1or2Ports100GbEQSFP28NetworkMezzanineCard Features 1xIntelE810-CAM1orE810-CAM2 1or2portsQSFP28connector 1xPCIex8,Gen4 CE/FCC,RoHScompliant	ADVANTECHAdvantech Co., Ltd. 研华科技研华科技（中国）有限公司	ADVANTECH
NTE6003	文件：34.9 Kbytes Page：3 Pages	NTE5906,NTE5907,NTE5980thruNTE6005SiliconPowerRectifierDiode,40Amp SiliconPowerRectifierDiode,40Amp Features: HighSurgeCurrentCapability HighVoltageAvailable DesignedforaWideRangeofApplications AvailableinAnode–to–CaseorCathode–to–CaseStyle	NTE NTE Electronics	NTE
NW6003	文件：306.7 Kbytes Page：21 Pages	TYPEIICALLERIDDECODER	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT
OM6003ST	文件：49.92 Kbytes Page：4 Pages	POWERMOSFETINHERMETICISOLATEDJEDECTO257AAPACKAGE	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
OM6003ST	文件：41.15 Kbytes Page：4 Pages	POWERMOSFETINHERMETICISOLATEDJEDECTO-257AAPACKAGE [Omnirel] DESCRIPTION ThisseriesofhermeticallypackagedproductsfeaturethelatestadvancedMOSFETandpackagingtechnology.TheyareideallysuitedforMilitaryrequirementswheresmallsize,highperformanceandhighreliabilityarerequired,andinapplicationssuchasswitchingpowersup	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC

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产品属性

产品编号：
MPS-6003LP
制造商：
MATRIX TECHNOLOGY INC.
类别：
测试与计量 > 设备 - 电源（测试，工作台）
系列：
MPS-6003LP
包装：
盒
类型：
工作台（AC 至 DC）
电压 - 输出：
0 ~ 60V
电流 - 输出：
0 ~ 3A
字符数：
8
大小 / 尺寸：
13.976" L x 8.465" W x 3.740" H (355.00mm x 215.00mm x 95.00mm)
特性：
可编程，RS232 端口
描述：
DC POWER SUPPLY 0-60V 180W

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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