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MMST5401	文件：41.86 Kbytes Page：2 Pages	PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR Features •EpitaxialPlanarDieConstruction •Ultra-SmallSurfaceMountPackage •ComplementaryPNPType:MMST5551 •IdealforLowPowerAmplificationandSwitching •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) •Quali	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
MMST5401	文件：156.98 Kbytes Page：3 Pages	Marking：K4M；Package：SOT-323；PNP General Purpose Transistor FEATURES ●Epitaxialplanardieconstruction. ●ComplementaryNPNtypeavailable(MMST5551). ●Alsoavailableinleadfreeversion. APPLICATIONS ●Idealformediumpoweramplificationandswitching.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
MMST5401	文件：79.7 Kbytes Page：2 Pages	PNP Small Signal Transistors Features •Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF •Powerdissipation:200mW(Tamb=25°C) •Collectorcurrent:-0.2A •Marking:K4M •OperatingandStoragejunctiontemperaturerange-55°Cto+150°C •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignates RoHSCompliant.	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
MMST5401	文件：131.23 Kbytes Page：4 Pages	PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR Features •EpitaxialPlanarDieConstruction •ComplementaryNPNTypeAvailable(MMST5551) •IdealforLowPowerAmplificationandSwitching •Ultra-SmallSurfaceMountPackage •LeadFree/RoHSCompliant(Note2) •GreenDevice(Note3and4)	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
MMST5401	文件：365.78 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR(PNP) FEATURES ●ComplementarytoMMST5551 ●SmallSurfaceMountPackage ●IdealforMediumPowerAmplificationandSwitching	HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd. 金誉半导体深圳市金誉半导体股份有限公司	HTSEMI
MMST5401	文件：361.56 Kbytes Page：1 Pages	Marking：K4M；Package：SOT-323；PNP Transistors ■Features ●SmallSurfaceMountPackage ●IdealforMediumPowerAmplificationandSwitching ●ComplementarytoMMST5551	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
MMST5401	文件：1.87635 Mbytes Page：4 Pages	Marking：K4M；Package：SOT-323；SOT-323 Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES ComplementarytoMMST5551 SmallSurfaceMountPackage IdealforMediumPowerAmplificationandSwitching	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
MMST5401	文件：188.57 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-Encapsulate Transistors FEATURES Epitaxialplanardieconstruction. ComplementaryPNPtypeavailable(MMST5551). Alsoavailableinleadfreeversion.	HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd. 合科泰深圳市合科泰电子有限公司	HOTTECH
MMST5401	文件：83.74 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR (PNP) FEATURES Powerdissipation PCM:0.2W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:-0.2A Collector-basevoltage V(BR)CBO:-160V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳深圳市永而佳实业有限公司	WINNERJOIN
MMST5401	文件：1.53259 Mbytes Page：4 Pages	SOT-323 Plastic-Encapsulate Transistors TRANSISTOR(PNP) FEATURES ●ComplementarytoMMST5551 ●SmallSurfaceMountPackage ●IdealforMediumPowerAmplificationandSwitching	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司	JIANGSU

详细参数

型号：
MMST5401
制造商：
DIODES
制造商全称：
Diodes Incorporated
功能描述：
PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR

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