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MMF60R360P	文件：1.15902 Mbytes Page：10 Pages	600V 0.36(ohm) N-channel MOSFET	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MMF60R360P	文件：264 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MMF60R360PTH	文件：322.76 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=11A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.36Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-D	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MMF60R360PTH	文件：1.15902 Mbytes Page：10 Pages	600V 0.36(ohm) N-channel MOSFET	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MMF60R360Q	文件：1.37821 Mbytes Page：10 Pages	600V0.36(ohm)N-channelMOSFET	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MMF60R360QTH	文件：1.37821 Mbytes Page：10 Pages	600V0.36(ohm)N-channelMOSFET	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MMF60R360QTH	文件：313.2 Kbytes Page：2 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MMF60R360RZ	文件：767.48 Kbytes Page：10 Pages	600V0.36ΩN-channelMOSFET Description MMF60R360RZispowerMOSFETusingMagnachip’sadvancedsuperjunctiontechnologythat canrealizeverylowon-resistanceandgatecharge.Thisdevicecombinesimprovementofswitching speedwitheffectiveswitchingbehavior.Anditalsowillprovidemuchhighefficiencybyusing	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MMF60R360RZTH	文件：767.48 Kbytes Page：10 Pages	600V0.36ΩN-channelMOSFET Description MMF60R360RZispowerMOSFETusingMagnachip’sadvancedsuperjunctiontechnologythat canrealizeverylowon-resistanceandgatecharge.Thisdevicecombinesimprovementofswitching speedwitheffectiveswitchingbehavior.Anditalsowillprovidemuchhighefficiencybyusing	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP
MMP60R360P	文件：1.16247 Mbytes Page：10 Pages	600V0.36(ohm)N-channelMOSFET	MGCHIP MagnaChip Semiconductor.	MGCHIP

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